укр
eng
В 1973 р. закінчив факультет радіоелектроніки Київського Політехнічного Інституту (м. Київ) за спеціальністю “напівпровідники і діелектрики”.
Кандидат фізико-математичних наук, 30.06.1978 р. Дисертація захищена у спеціалізованій вченій раді при Інституті фізики напівровідників АН УРСР.
Доктор фізико-математичних наук, 04.06.1995 р. Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України.
Член-кореспондент НАН України, обраний 07.04.2000 р.
Професор за спеціальністю “Фізика твердого тіла”, присвоєно 2007 р.
Академік НАН України, обраний 03.02.2009 р.
Основні етапи науково-педагогічної діяльності:
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України:
1973 – 1977 – Аспірант ІФН НАН України
15.05.1979 – Молодший науковий співробітник ІФН НАН України
11.02.2003 – по т.ч. – Директор ІФН НАН України
Президія НАН України:
23.11.81 – 29.09.83 – Науковий співробітник- консультант Науково-організаційного відділу Президії АН УРСР
29.09.83 – 05.05.88 – Заступник начальника Науково-організаційного відділу, керівник сектора Президії АН УРСР
12.04.93 – 07.02.03 – Начальник Науково-організаційного відділу Президії НАН України
01.09.2011 - Головний вчений секретар Президії НАН України
Вища атестаційна комісія України:
01.08.2003 –01.08.2011 Голова ВАК України
Двічі Лауреат державних премій України в галузі науки і техніки (1994 р. та 2003 р.).
"Ренгено-оптико-акустичні явища в реальних кристалах при комбінованому впливі різних фізичних полів" (1994 р.)
"Монокристали сапфіру: розробка високорентабельних технологій, освоєння промислового виробництва конкурентноздатних на світовому ринку сапфірових елементів для оптики, електроніки та медицини" (2003 р.).
Заслужений діяч науки і техніки України (1998 р.)
Підготував трьох докторів наук: Гололобов Ю.І. (спеціальність 01.04.10 – фізика напівпровідників та діелектриків, 1999 р.), Кладько В.П. (спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла, 2000 р.), Оліх Я.М. (спеціальність 01.04.10 – фізика напівпровідників та діелектриків, 2011 р.) та двох кандидатів наук: Красуля С.М. (спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла, 1996 р.) та Мельник В.М. (спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла, 2000 р.).
Член Бюро Відділення фізики та астрономії України. Член міжвідомчої Ради з координації фундаментальних досліджень в Україні.
Список публікацій:
- X-ray diffraction analysis and scanning micro-Raman spectroscopy of structural irregularities and strains deep inside the multilayered InGaN/GaN heterostructure.
V.V. Strelchuk, V.P. Kladko, E.A. Avramenko, O.F. Kolomys, N.V. Safryuk, R.V. Konakova, B.S. Yavich, M.Ya. Valakh, V.F. Machulin and A.E. Belyaev // Semiconductors, 2010, Vol.44, No9, P.1199-1210. DOI: 10.1134/S1063782610090174 (cited 4 times)Download: [pdf] - Mechanism of strain relaxation by twisted nanocolumns revealed in AlGaN/GaN heterostructures.
V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, H.Hardtdegen and S.A. Vitusievich // Applied Physics Letters. 2009. V.95, Issue 3. P.031907(3). DOI: 10.1063/1.3184569 (Cited 6 times)Download: [pdf] - Вплив дислокаційної структури на деформаційні процеси в AlGaN/GaN/(0001)Al2O3 (Influence of Dislocation Structure on Deformation Processes in AlGaN/GaN/(0001)Al2O3 Heterostructures)
Кладько В.П., Сафрюк Н.В., Кучук А.В., Бєляєв О.Є., Мачулін В.Ф. // Український Фізичний Журнал, 2009, Т.54, №10. С.1014-1020. Ukrainian Journal of Physics 2009, Vol.54, 10, p.1014-1020. (Cited 6 times)Download: [pdf] - Mechanism of strain relaxation by twisted nanocolumns revealed in AlGaN/GaN heterostructures
V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, H. Hardtdegen, and S.A. Vitusevich // Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology (August 3), 2009 Vol.20, Issue 5. - Новые диагностические возможности деформационных зависимостей интегральной интенсивности рассеяния кристаллами с дефектами для лауэ-дифракции в области К-края поглощения.
А.П. Шпак, В.Б. Молодкин, М.В. Ковальчук, В.Л. Носик, А.И. Низкова, В.Ф. Мачулин, И.В. Прокопенко, Е.Н. Кисловский, В.П. Кладько, С.В. Дмитриев, Е.В. Первак, Е.Г. Лень, А.А. Белоцкая, Я.В. Василик, А.И. Гранкина, И.Н. Заболотный, А.А. Катасонова, М.Т. Когут, О.С. Кононенко, А.В. Мельник, В.В. Молодкин, Л.И. Ниничук, И.И. Рудницкая. // Металлофизика и новейшие технологии, 2009, Т.31. №7, С.927-945. (cited 2 times)Download: [pdf] - Новые диагностические возможности деформационных зависимостей интегральной интенсивности рассеяния кристаллами с дефектами для лауэ-дифракции в условиях нарушения закона Фриделя.
А.П. Шпак, В.Б. Молодкин, М.В. Ковальчук, В.Л. Носик, А.И. Низкова, В.Ф. Мачулин, И.В. Прокопенко, Е.Н. Кисловский, В.П. Кладько, С.В. Дмитриев, Е.В. Первак, Е.Г. Лень, А.А. Белоцкая, Я.В. Василик, А.И. Гранкина, И.Н. Заболотный, А.А. Катасонова, М.Т. Когут, О.С. Кононенко, А.В. Мельник, В.В. Молодкин, Л.И. Ниничук, И.И. Рудницкая. // Металлофизика и новейшие технологии, 2009, Т.31. №8, С.1041-1049.Download: [pdf] - Вплив радіуса кривизни багатошарових структур на спектри дифракції Х-променів
В.П. Кладько, М.В. Слободян, В.Ф. Мачулін // Український фізичний журнал, 2008, T.53. №2. C.167-171. (cited 2 times)Download: [pdf] - (X-ray dynamical diffraction in multilayers) Динамічна дифракція Х-променів в багатошарових структурах.
Єфанов О.М., Кладько В.П., Мачулін В.Ф., Молодкін В.Ю. (Yefanov O.M., Kladko V.P., Machulin V.F., Molodkin V.B. (in Ukrainian)) // (монографія) Київ, 2008 р. Наукова думка, – 219 с. http://x-ray.net.ua/print/books/ (Cited 7 times) - Structural anisotropy of InGaAs/GaAs(001) quantum dot chains structures
V.P. Kladko, M.V. Slobodian, V.V. Strelchuk, O.M. Yefanov, V.F. Machulin, Yu.I. Mazur, Zh.M. Wang, and G.J. Salamo // Phys. Stat. Sol. (a) 204, No. 8, 2567–2571 (2007) DOI 10.1002/pssa.200675678 (cited 2 times)Download: [pdf] - Влияние латеральных модуляций состава на зарождение и упорядочение массива квантовых островков в многослойных периодических структурах InхGa1-хAs/ GaAs.
В.П. Кладько, В.В.Стрельчук, Н.В.Слободян, А.Н.Ефанов, В.Ф.Мачулин, Yu. I. Mazur, Zh. M. Wang, G. J. Salamo // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2007, Т.5, вип.3, C.729-738.Download: [pdf]
