укр
eng
В 1973 р. закінчив факультет радіоелектроніки Київського Політехнічного Інституту (м. Київ) за спеціальністю “напівпровідники і діелектрики”.
Кандидат фізико-математичних наук, 30.06.1978 р. Дисертація захищена у спеціалізованій вченій раді при Інституті фізики напівровідників АН УРСР.
Доктор фізико-математичних наук, 04.06.1995 р. Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України.
Член-кореспондент НАН України, обраний 07.04.2000 р.
Професор за спеціальністю “Фізика твердого тіла”, присвоєно 2007 р.
Академік НАН України, обраний 03.02.2009 р.
Основні етапи науково-педагогічної діяльності:
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України:
1973 – 1977 – Аспірант ІФН НАН України
15.05.1979 – Молодший науковий співробітник ІФН НАН України
11.02.2003 – по т.ч. – Директор ІФН НАН України
Президія НАН України:
23.11.81 – 29.09.83 – Науковий співробітник- консультант Науково-організаційного відділу Президії АН УРСР
29.09.83 – 05.05.88 – Заступник начальника Науково-організаційного відділу, керівник сектора Президії АН УРСР
12.04.93 – 07.02.03 – Начальник Науково-організаційного відділу Президії НАН України
01.09.2011 - Головний вчений секретар Президії НАН України
Вища атестаційна комісія України:
01.08.2003 –01.08.2011 Голова ВАК України
Двічі Лауреат державних премій України в галузі науки і техніки (1994 р. та 2003 р.).
"Ренгено-оптико-акустичні явища в реальних кристалах при комбінованому впливі різних фізичних полів" (1994 р.)
"Монокристали сапфіру: розробка високорентабельних технологій, освоєння промислового виробництва конкурентноздатних на світовому ринку сапфірових елементів для оптики, електроніки та медицини" (2003 р.).
Заслужений діяч науки і техніки України (1998 р.)
Підготував трьох докторів наук: Гололобов Ю.І. (спеціальність 01.04.10 – фізика напівпровідників та діелектриків, 1999 р.), Кладько В.П. (спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла, 2000 р.), Оліх Я.М. (спеціальність 01.04.10 – фізика напівпровідників та діелектриків, 2011 р.) та двох кандидатів наук: Красуля С.М. (спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла, 1996 р.) та Мельник В.М. (спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла, 2000 р.).
Член Бюро Відділення фізики та астрономії України. Член міжвідомчої Ради з координації фундаментальних досліджень в Україні.
Список публікацій:
- Dynamical scattering of X-ray by real binary crystals and problem of point defects.
Datsenko L.I., Kladko V.P., Machulin V.F., Manninen S., Prokopenko I.V. // “Theory and computation for synchrotron radiation spectroscopy”, AIP Conf. Proc, 514 (1) 2000, P.153-161.Download: [pdf] - Топология маятниковых колебаний интенсивности в кристаллах с планарными дефектами в случае брэгг-дифракции.
Григорьев Д.О., Даценко Л.И., Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Мачулин В.Ф., Прокопенко И.В., Мельник В.М. // Металлофизика и новейшие технологии. 2000. Т.22, №2. С.58-65.Download: [pdf] - Динамические эффекты при дифракции рентгеновских лучей для квазизапрещенных отражений в бинарных кристаллах с сильноотличающимися атомными форм-факторами.
Кладько В.П., Даценко Л.И., Мачулин В.Ф., Мельник В.М. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2000, №10, С.3-8.Download: [pdf] - Energy-dispersive studies of the integrated reflectivity of Bragg diffracted continuous X-ray spectrum for high sensitive structure diagnostics of imperfect single crystal.
Grigoriev D.O., Manninen S., Datsenko L.I., Khrupa V.I., Molodkin V.B., Galamboshi S., Kladko V.P., Machulin V.F., // Metal. Phys. and Adv. Technology. 2000, V.22, №5. С.32-40.Download: [pdf] - Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing
L.I. Datsenko, J. Auleytner, A. Misiuk, V.P. Kladko, V.F. Machulin, J. Bak-Misiuk, D. Zymierska, I.V. Antonova, V.M. Melnyk, V.P. Popov, T. Czosnyka and J. Choinski // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 1999. V. 2, N 1. P. 56-61.Download: [pdf] - Influence of absorption level on mechanisms of Bragg diffracted x-ray beam formation in real silicon crystals
V.P. Kladko, D.O. Grigoriev, L.I. Datsenko, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 1999. V. 2, N 1. P. 157-162.Download: [pdf] - Особенности толщинных осцилляций интенсивности при рассеянии рентгеновских лучей вблизи К-края поглощения галлия для квазизапрещенных отражений.
Кладько В.П., Даценко Л.И., Мельник В.М., Мачулин В.Ф. // Металлофизика и новейшие технологии. 1999, Т.21, №8. С.46-54.Download: [pdf] - Вплив дефектів структури в GaAs на характер лауе-дифракції рентгенівських променів з довжинами хвиль, близькими до К-країв поглинання атомів підграток.
Кладько В.П., Даценко Л.І., Мачулін В.Ф. // Український Фізичний Журнал, 1999, Т.44, №9. С.1148-1154. - Influence of hydrostatic pressure at the temperatures about 1500K on defect structure of Czochralski silicon.
J. Auleytner, L. Datsenko, V. Kladko, V.Machulin, V. Melnyk, I. Prokopenko, J. Bak-Misiuk and A. Misiuk // Journal of Alloys and Compounds, 1999, V.286, Issue 1-2. P.246-249.Download: [pdf] - Structure changes in Cz-Si single crystals irradiated with fast oxygen and neon ions.
Datsenko L., Zymierska D., Auleytner J., Klinger D., Machulin V.F., Kladko V.P., Melnik V., Prokopenko I., Czosinka T., Choinski J. // Acta Physica Polonica, (А). 1999.V.96, N1, P.137-142. (Cited 2 times)Download: [pdf]
