• Когерентна взаємодiя випромiнювання рентгенiвського дiапазону довжин хвиль з реальними кристалами та багатошаровими епiтаксiйними структурами з метою з'ясування фундаментальних фiзичних принципiв перетворення випромiнювання в умовах динамiчної дифракцiї. Моделювання процесiв динамiчної дифракцiї в багатошарових структурах.
  
• Фiзика процесiв дефектоутворення, структурної релаксацiї та мiжфазних взаємодiй в напiвпровiдникових матерiалах i системах.
  
• Фiзичнi основи рентгено-дифрактометричного визначення параметрiв реальної структури багатошарових епiтаксiйних плiвок.
  
• Аномальна Х-променева дифракцiя в напiвпровiдникових наноструктурах в областi К-країв поглинання.
  
• Поверхня, приповерхневi шари, границi подiлу i тонкi плiвки. Вивчення структури i властивостей.
  
• Розвиток неруйнiвних методик контролю структурної досконалостi та елементного аналiзу кристалiв, епiтаксiйних систем та приладних структур.
  

Основні наукові результати за 2009 рік

1. Для багатошарових систем AlN/GaN/Al₂O₃ (0001) встановлено новий механізм релаксації пружних деформацій, який полягає в розворотах елементарних комірок наноблоків нітриду галію навколо с-осі сапфіру.
2. Шляхом чисельного моделювання підтверджено градієнтний розподіл дислокацій і деформацій по глибині як у мозаїчній (блочній) структурі нітридних шарів, так і в областях інтерфейсу підкладки сапфіру. Встановлено взаємозв"язок деформацій з густиною дислокацій в шарах і підкладці при зміні товщини останньої. Показано, що збільшення товщини підкладки сапфіру приводить до збільшення пружних деформацій та зменшення густини дислокацій у шарах структури AlGaN/GaN. Отримано експериментальне підтвердження картини сполучення елементарних комірок шару і підкладки на границі розділу, що приводить до мінімальної невідповідності параметрів граток.