укр
eng
Дата та місце народження: 28 червня 1983, м.Чернівці
Освіта:
1997-2000 Чернівецький міський фізико-математичний ліцей №1;
2000-2004 Бакалавр фізики твердого тіла з відзнакою, Чернівецький національний університет;
2004-2005 Магістр фізики твердого тіла з відзнакою, Чернівецький національний університет;
2005- Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
Захистив кандидатську дисертацію „Вплив тривимірного впорядкування та деформацій на дифракцію Х-променів у реальних багатошарових структурах”
20.02.2009 р.
Область наукових інтересів: дифракція Х-променів, багатошарові епітаксійні структури, моделювання процесів розсіяння.
Нагороди та премії:
Перша премія за найкращу усну доповідь англійською мовою на міжнародному науковому семінарі «Современные методы анализа дифракционных данных (топография, дифрактометрия, электронная микроскопия)» (Великий Новгород, Росія, 2006).
Іноземні мови: англійська розмовна, технічна
Екпериментальна робота: високороздільний Х-променевий дифрактометр PANalytical X’Pert Pro MRD XL
Список публікацій:
- Influence of Defects on the Structure of Oxygen Precipitates in Silicon Crystals.
Litovchenko V.G., Lisovs'kyy I.P., Klad'ko V.P., Zlobin S.O., Muravs'ka M.V., Efremov A.A., Slobodyan M.V. // Ukrainian Journal of Physics 2007, Vol.52, N 10, p.958-966Download: [pdf] - Исследование структурно–деформационного состояния InGaAs(Sb,N)/GaAs гетероструктур с квантовыми ямами (X-Ray diffractometric investigations of a strain state of InGaAsSbN/GaAs heterostructures with quantum wells).
Кладько В.П., Слободян Н.В., Борковская Л.В., Ефанов А.Н. // Металлофизика и новейшие технологии. 2007, Т. 29, №10. С.1323-1332.Download: [pdf] - Влияние латеральных модуляций состава на зарождение и упорядочение массива квантовых островков в многослойных периодических структурах InхGa1-хAs/ GaAs.
В.П. Кладько, В.В.Стрельчук, Н.В.Слободян, А.Н.Ефанов, В.Ф.Мачулин, Yu. I. Mazur, Zh. M. Wang, G. J. Salamo // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2007, Т.5, вип.3, C.729-738.Download: [pdf] - Microstructural aspects of nucleation and growth of (In,Ga) As/GaAs(001) islands with low indium content.
Kladko V.P., Strelchuk V.V., Kolomys А.F., Slobodian M.V., Mazur Yu.I., Wang Z.M., Kunets Vas.P., Salamo G.J. // Journal of Electronic Materials. 2007. V.36, No 12. P.1555-1561. (Cited 3 times)Download: [pdf]
