Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Гудименко Олександр Йосипович

Гудименко Олександр Йосипович - кандидат фізико-математичних наук, науковий співробітник

Кандидатська дисертація "Рентгенівська дифрактометрія приповерхневих шарів та гетероструктур на основі Si(Ge) та In(Ga)As" захищена в Спецраді ІФН 18.01.2012 р.





Список публікацій:

  1. Особливості дефектоутворення в приповерхневих шарах монокристалів кремнію при акустостимульованій імплантації іонів бору та миш'яку
    О.Й. Гудименко, В.П. Кладько, В.П. Мельник, Я.М. Оліх, В.Г. Попов, Б.М. Романюк, М.В. Слободян, П.П. Когутюк  // Український фізичний журнал, 2008, т.53, №2. C.140-145.

    Download: [pdf]

  2. Влияние анизотропии полей деформации в многослойных структурах на спектры отражения рентгеновских лучей
    А.Н. Ефанов, В.П. Кладько, А.И. Гудыменко, В.В. Стрельчук, Ю. Мазур, Чж. Ванг, Г. Саламо // Металлофизика новейшие технологии. /Metall. phys. and Adv. Technol. 2006, т.28, №4, с.441—448

    Download: [pdf]

  3. Fields of deformation anisotropy exploration in multilayered (In,Ga)As/GaAs structures by high-resolution X-ray scattering
    O. Yefanov, V. Kladko, O. Gudymenko, V.Strelchuk, Yu.Mazur, Zh.Wang, G.Salamo // Phys. Stat. Sol. (a) 203, No. 1, 154–157 (2006) (cited 7 times)

    Download: [pdf]

  4. Effect of growth temperature on the luminescent and structural properties of InGaAsSbN/GaAs quantum wells for 1.3 mkm telecom application
    L. Borkovska, O. Yefanov, O. Gudymenko, S. Johnson, V. Kladko, N. Korsunska, T. Kryshtab, Yu. Sadofyev, Y.-H. Zhang // Thin Solid Films 515 (2006) 786 – 789. (Cited 3 times)

    Download: [pdf]

  5. Study of strain relaxation in CdSe/ZnSe nanostructures
    L. Borkovska, R. Beyer, O. Gudymenko, V. Kladko, N. Korsunska, T. Kryshtab, Yu. Sadofyev, Ye. Venger // Journal of Crystal Growth, 2005, 275, Issues 1-2. e2281-e2287. (cited 2 times)

    Download: [pdf]

  6. Enhanced relaxation of SiGe layers by He implantation supported byin situ ultrasonic treatments
    B. Romanjuk, V. Kladko, V. Melnik, V. Popov, V. Yukhymchuk, A. Gudymenko, Ya. Olikh, G. Weidner, D. Kruger // Materials Science in Semiconductor Processing V.8 (2005) 171–175. (cited 5 times)

    Download: [pdf]

  7. Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study
    V.V. Strelchuk, V.P. Kladko, O.M. Yefanov, O.F. Kolomys, O.I. Gudymenko, M.Ya. Valakh, Yu.I. Mazur, Z.M. Wang, and G.J. Salamo // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005. V. 8, N 1. P. 36-45. (Cited 7 times)

    Download: [pdf]

  8. Manifestation of spatial ordering of quantum dots in multilayered SiGe nanostructures in X-Ray diffraction patterns
    V.P. Kladko, V.F. Machulin, O.M. Yefanov, V.A. Yukchimchuk, O.I. Gudymenko, P.P. Kogutyuk, A.V. Shalimov // Ukr. J. Phys. 2005. V. 50, N 9

    Download: [pdf]

  9. Прояв просторового упорядкування квантових острівців у багатошарових наноструктурах SiGe у рентгенівській дифракції
    В.П. Кладько, В.Ф. Мачулін, О.М. Єфанов, В.О. Юхимчук, О.Й. Гудименко, П.П. Когутюк, А.В. Шалімов // Український фізичний журнал 2005. Т. 50, № 9

    Download: [pdf]

  10. Вплив інтердифузії на релаксацію механічних напружень та компонентний склад в самоорганізованих SiGe наноострівцях
    Валах М.Я., Гудименко О.Й., Джаган В.М., Кладько В.П., Красильник З.Ф., Литвин П.М., Мачулін В.Ф., Новіков О.В., Юхимчук В.О. // Металлофизика и новейшие технологии. 2004, Т.26, №6. С.741-751.

    Download: [pdf]


 
© 2006-2012. Розробка сайту: Веб-студiя "DreamArts"