Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Гудименко Олександр Йосипович

Гудименко Олександр - кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник

Дата та місце народження: 23 березня 1967 р., с. Лісники, Києво-Святошинський р-н., Київська обл.

Освіта:
1996-2001 Київський національний університет імені Тараса Шевченка;
 
Наукові ступені та звання: 
2012 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Кар’єра:
2001-2003 - інженер
2003-2011 - молодший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова
2011-2019 - науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова
2019-дотепер - старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова

Кандидатська дисертація "Рентгенівська дифрактометрія приповерхневих шарів та гетероструктур на основі Si(Ge) та In(Ga)As" захищена в Спецраді ІФН 18.01.2012 р.

Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 110
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 73
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 233 (h-index = 7)
- Патенти: 3

 

 


Список публікацій:

  1. Спосіб отримання високодисперсних порошків неорганічних матеріалів.
    Дремлюженко Ксенія Сергіївна, Капуш Ольга Анатоліївна, Борук Олена Сергіївна, Борук Сергій Дмитрович, Дремлюженко Сергій Григорович, Будзуляк Сергій Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Косінов Олександр Генріхович, Кульчицький Богдан Несторович, Кладько Василь Петрович, Гудименко Олександр Йосипович // ПАТЕНТ НА КОРИСНУ МОДЕЛЬ, 10.09.2018, Бюл.No17.

    Download: [pdf]

  2. Correction to: Generation and Auto-Revealing of Dislocations in Si During Macropore Etching (Journal of Electronic Materials, (2018), 47, 9, (5113-5117)
    KP Konin, OY Gudymenko, VP Klad’ko, OO Lytvynenko, DV Morozovs’ka // Journal of Electronic Materials, 2018, V.47, Issue 10, P.6334–6334.

    Download: [pdf]

  3. The Effect of High Temperature Annealing on the Photoluminescence of ZnMgO Alloys
    Lyudmyla Borkovska, Larysa Khomenkova, Iryna Markevich, Mykola Osipyonok, Oleksandr Kolomys, Serhii Rarata, Oleksandr Oberemok, Olexandr Gudymenko, Andriy Kryvko, Victor Strelchuk // Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, 2018, V.215, Issue 19, 1800250

  4. Особливості фотолюмінесценції наночастинок кремнію у багатошарових (SіOх–SіOy)nструктурах з поруватими ізолюючими шарами
    К.В. Михайловська, В.А. Данько, О.Й. Гудименко, В.П. Кладько, І.З. Індутний, П.Є. Шепелявий, М.В. Сопінський // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2018, вып.53, С.169-180.

    Download: [pdf]

  5. Effect of Ge Content on the Formation of Ge Nanoclusters in Magnetron-Sputtered GeZrOx-Based Structures
    L. Khomenkova, D. Lehninger, O. Kondratenko, S. Ponomaryov, O. Gudymenko, Z. Tsybrii, V. Yukhymchuk, V. Kladko, J. von Borany and J. Heitmann // Nanoscale Research Letters, 2017, V.12: 196.

    Download: [pdf]

  6. Ion Beam Nanostructuring of HgCdTe Ternary Compound
    Aleksey B.Smirnov, Rada K.Savkina, Ruslana S.Udovytska, Oleksandr I.Gudymenko, Vasyl P.Kladko and Andrii A.Korchovyi // Nanoscale Research Letters, 2017, V.12:320

    Download: [pdf]

  7. Oxygen Ion-beam modification of vanadium oxide films for the formation of high value of resistance temperature coefficient.
    T.M. Sabov, O.S. Oberemok, O.V. Dubikovskyi, V.P. Melnik, V.P. Kladko, B.M. Romanyuk, V.G. Popov, O.Yo. Gudymenko, N.V. Safriuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics@Optoelectronics, 2017. V.20, No 2. P.153-158.

    Download: [pdf]

  8. Властивості високодисперсних систем на основі кадмій телуриду, отриманих шляхом електрохімічного диспергування.
    С.Д. Борук, К.С. Дремлюженко, В.З. Цалий, І.М. Юрійчук, В.П. Кладько, А.Й. Гудименко, О.А. Капуш, С.Г. Дремлюженко, С.І. Будзуляк  // Фізика і хімія твердого тіла. 2017, Т.18, №3, С.338-341.

    Download: [pdf]

  9. Modeling of X-Ray Rocking Curve for Layers after Two-Stage Ion-Implantation.
    O.I. Liubchenko, V.P. Kladko, O.Yo. Gudymenko  // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2017. V.20, No 3. P.355-361.

    Download: [pdf]

  10. Optical and structural characterization of Ge clusters embedded in ZrO2
    E. Agocs, Z. Zolnai, A.K. Rossall, J.A.van den Berg, B. Fodor, D. Lehninger, L. Khomenkova, S. Ponomaryov, O. Gudymenko, V. Yukhymchuk, B. Kalas, J. Heitmann, P. Petrik // Applied Surface Science, 2017, V.421, Part B, P.283-288.


 
© 2006-2024