укр
eng
2000-2004 Бакалавр фізики твердого тіла, Чернівецький національний університет;
2004-2005 Магістр фізики твердого тіла, Чернівецький національний університет;
2008-2011 Аспірантка інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
2011- дотепер молодший науковий співробітник відділу №19 інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
Кандидатська дисертація "Рентгеноструктурна характеризація багатошарових систем Al(In)GaN на полярних площинах сапфіру" захищена на Спецраді ІФН 18.01.2012 р.
Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]
- The relationship between strain relaxation and well/barrier thickness fluctuation in GaN/AlN short-period superlattices
A.V. Kuchuk, V.P. Kladko, Bryksa V.A., N.V. Safryuk, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, M.E. Ware, G.J. Salamo. // Applied Physic Letters, 2012. V.100, (in press) - Влияние деформаций на рост и оптические свойства AlxGa1-xN/GaN многослойных структур
В.П. Кладько, А.В. Кучук, Д.В. Корбутяк, С.М. Калитчук, Н.В. Сафрюк, А.Е. Беляев, Б.С. Явич // Физика и техника полупроводников, 2012. Т.46, (подготовка). - Substrate effects on the strain relaxation in GaN/AlN short-period superlattices
V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, O.M. Yefanov, P.M. Lytvyn, N.V. Safryuk, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, E.A. DeCuir Jr, M.E. Ware, and G.J. Salamo // Journal of Applied Physics 2012, 111, (submitted) - Influence of template type and buffer strain on structural properties of GaN multilayer quantum wells grown by PAMBE. X-Ray study.
V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, P.M. Lytvyn, V.G. Raicheva, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, E.A. DeCuir Jr, M.E. Ware, and G.J. Salamo // Journal of Physics D: Applied Physics, 2011. V.44. No2, P.025403(8), (cited 3 times)Download: [pdf] - Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении количества квантовых ям в InGaN/GaN многослойных структурах
Кладько В.П., Кучук А.В., Сафрюк Н.В., Мачулин В.Ф., Беляев А.Е., Конакова Р.В., Явич Б.С., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю. // Физика и техника полупроводников, 2011. Т.45, вып.6, C.770-777.Download: [pdf] - Evolution of the Deformation State and Composition as a Result of Changes in the Number of Quantum Wells in Multilayered InGaN/GaN Structures
V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, B.S. Yavich, B.Ya. Ber, and D.Yu. Kazantsev // Semiconductors, 2011, Vol.45, No.6, p.753–760.Download: [pdf] - X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
Kladko V.P., Kuchuk A.V., Safryuk N.V., Machulin V.F., Belyaev A.E., Konakova R.V., Yavich B.S. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2010. V.13, No1. P.1-7. (cited 3 times)Download: [pdf] - Рентгеновская дифрактометрия и сканирующая микро-рамановская спектроскопия неоднородностей структуры и деформаций по глубине многослойной гетероструктуры InGaN/GaN
Стрельчук В.В., Кладько В.П., Авраменко К.А., Коломыс А.Ф., Сафрюк Н.В., Конакова Р.В., Явич Б.С., Валах М.Я., Мачулин В.Ф., , Беляев А.Е. // Физика и техника полупроводников, 2010. T.44. вып.9. C.1236-1247. (cited 4 times)Download: [pdf] - X-ray diffraction analysis and scanning micro-Raman spectroscopy of structural irregularities and strains deep inside the multilayered InGaN/GaN heterostructure.
V.V. Strelchuk, V.P. Kladko, E.A. Avramenko, O.F. Kolomys, N.V. Safryuk, R.V. Konakova, B.S. Yavich, M.Ya. Valakh, V.F. Machulin and A.E. Belyaev // Semiconductors, 2010, Vol.44, No9, P.1199-1210. DOI: 10.1134/S1063782610090174 (cited 4 times)Download: [pdf] - Mechanism of strain relaxation by twisted nanocolumns revealed in AlGaN/GaN heterostructures.
V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, H.Hardtdegen and S.A. Vitusievich // Applied Physics Letters. 2009. V.95, Issue 3. P.031907(3). DOI: 10.1063/1.3184569 (Cited 6 times)Download: [pdf]
[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]
