укр
eng
Дата та місце народження: 24 січня 1979 р.
Освіта:
1996-2001 Чернівецький національний університет;
2002-2005 - Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
Наукові ступені та звання:
2006 – кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла)
Захистив дисертацію „Структура та фізичні властивості тонкоплівкових дифузійних бар’єрів W-Ti-N та Ta-Si-N на підкладках арсеніду та нітриду галію” 19.05.2006 р.
Список публікацій:
- The relationship between strain relaxation and well/barrier thickness fluctuation in GaN/AlN short-period superlattices
A.V. Kuchuk, V.P. Kladko, N.V. Safryuk, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, M.E. Ware, G.J. Salamo. // Journal of Crystal Growth, 2011. V.325, (in press) - Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении числа КЯ в многослойных структурах InGaN/GaN
Кладько В.П., Кучук А.В., Сафрюк Н.В., Явич Б.C., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Беляев А.Е. // Физика и техника полупроводников, 2011. Т.45 (підготовка до друку) - Влияние режима перегрева p-n перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов
Беляев А.Е., Басанец В.В., Болтовец Н.С., Зоренко А.В., Капитанчук Л.М., Кладько В.П., Конакова Р.В., Колесник Н.В., Крицкая Т.В., Кудрик Я.Я., Кучук А.В., Миленин В.В., Атаубаева А.Б. // Физика и Техника Полупроводников, 2011. Т.45 - X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
Kladko V.P., Kuchuk A.V., Safryuk N.V., Machulin V.F., Belyaev A.E., Konakova R.V., Yavich B.S. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2010. V.13, No1. P.1-7.Download: [pdf] - Influence of template type and buffer strain on structural properties of GaN multilayer quantum wells grown by PAMBE. X-Ray study.
V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, P.M. Lytvyn, V.G. Raicheva, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, E.A. DeCuir Jr, M.E. Ware, and G.J. Salamo // Journal of Physics D: Applied Physics, 2010. V.43. (in press)Download: [pdf] - Reliability Tests of Au-metallized Ni-based Ohmic Contacts to 4H-n-SiC with and without Nanocomposite Diffusion Barriers.
Kuchuk A.V., Guziewicz M., Ratajczak R., Wzorek M., Kladko V.P., Piotrowska A. // Materials Science Forum, 2010. V.645-648 (Silicon Carbide and Related Materials 2009). P.737-740.Download: [pdf] - The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd2Si-p+-Si ohmic contacts
A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, L.M. Kapitanchuk, R.V. Konakova, V.P. Kladko, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, T.V. Korostinskaya, A.B. Ataubaeva, P.V. Nevolin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2010. V.13, No1. P.8-11.Download: [pdf] - Mechanism of strain relaxation by twisted nanocolumns revealed in AlGaN/GaN heterostructures.
V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, H.Hardtdegen and S.A. Vitusievich // Applied Physics Letters. 2009. V.95, Issue 3. P.031907(3). DOI: 10.1063/1.3184569 (Cited 4 times)Download: [pdf] - On the Formation of Ni-based Ohmic Contacts to n-type 4H-SiC
A.V. Kuchuk, V.P. Kladko, A. Piotrowska, R. Ratajczak, R. Jakiela // Materials Science Forum 2009. V.615-617. Р.573-576.Download: [pdf] - Thermal degradation of Au/Ni2Si/n-SiC ohmic contacts under different conditions.
A.V. Kuchuk, M. Guziewicz, R. Ratajczak, M. Wzorek, V.P. Kladko, A. Piotrowska. // Materials Science and Engineering – B 2009. V.165, Issue 1-2. P.38-41.Download: [pdf]
