Дата та місце народження: 24 січня 1979 р.
Освіта:
1996-2001 Чернівецький національний університет;
2002-2005 - Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
Наукові ступені та звання:
2006 – кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла)
Кар’єра:
2005-2009 - науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
2009-дотепер - старший науковий співробітник інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
Захистив кандидатську дисертацію „Структура та фізичні властивості тонкоплівкових дифузійних бар’єрів W-Ti-N та Ta-Si-N на підкладках арсеніду та нітриду галію” 19.05.2006 р.
Список публікацій:
- Formation of rocking curves for quasi-forbidden reflections in short-periodic superlattices GaAs/AlGaAs
Vasyl Kladko, Leonid Datsenko, Volodymyr Machulin, Jaroslaw Domagala, Petro Lytvyn, Jadwiga Bak-Misiuk, Andrian Kuchuk and Andrii Korchovyi // J. Appl. Cryst. (2004). 37, 150–155. (cited 3 times)Download: [pdf] - Дослідження термічної стабільності плівок Ta-Si на підкладинках GaAs
А.В. Кучук, A. Піотровска, K. Голашевска, Р. Якела, О.С. Литвин, В.П. Кладько, А.А. Корчовий, Н.B. Осадча // Фізика і хімія твердого тіла Т. 5, № 1 (2004) С. 85-90 Physics and Chemistry of Solid State V. 5, № 1 (2004) P. 85-90Download: [pdf] - Diffusion barrier properties of reactively sputtered W-Ti-N thin films
A.V. Kuchuk, V.P. Kladko, V.F. Machulin, A. Piotrowska, E. Kaminska, K. Golaszewska, R. Ratajczak and R. Minikayev // Rev. Adv. Mater. Sci. 8 (2004) 22-26 (cited 8 times)Download: [pdf] - Influence of layer deformation on thermal quenching of exciton photoluminescence in short-period GaAs/AlAs superlattices
D.V. Korbutyak, V.P. Klad’ko, S.G. Krylyuk, V.G. Litovchenko, A.V. Shalimov and A.V. Kuchuk // Semicond. Sci. Technol. 19 (2004) 475–479. (cited 3 times)Download: [pdf] - Investigation of GaAs/AlAs short-periodic superlattices by high-resolution X-ray diffractometry
V.P. Kladko, L.I. Datsenko, A.V. Kuchuk, Ja. Domagala, A.V. Shalimov, A.A. Korchovyi // Ukr. J. Phys. 2004, V. 49, N 1. C.79-84.Download: [pdf] - Barrier properties of Ta–Si–N films in Ag-and Au-containing metallization
A.V. Kuchuk, J. Ciosek, A. Piotrowska, E. Kaminska, A. Wawro, O.S. Lytvyn, L. Nowicki, R. Ratajczak // Vacuum, 2004, Vol. 74, P. 195–199Download: [pdf] - Amorphous Ta–Si–N diffusion barriers on GaAs
A. Kuchuk, E. Kaminska, A. Piotrowska, K. Golaszewska, E. Dynowska, O.S. Lytvyn, L. Nowicki, R. Ratajczak // Thin Solid Films, 2004, Vol. 459, P. 292–296Download: [pdf] - ZnO–GaN tunnel junction for transparent ohmic contacts to p-GaN
E. Kaminska, A. Piotrowska, K. Golaszewska, R. Kruszka, A. Kuchuk , J. Szade, A. Winiarski, J. Jasinski, Z. Liliental-Weber // Journal of Alloys and Compounds, 2004, Vol. 371, P. 129–132Download: [pdf] - Study of long-term stability of ohmic contacts to GaN
E. Kaminska, K. Golaszewska, A. Piotrowska, A. Kuchuk, R. Kruszka, E. Papis, R. Szeloch, P. Janus, T. Gotszalk, A. Barcz // Phys. Stat. Sol. (c), Vol. 1, No. 2, P. 219–222 (2004)Download: [pdf] - Investigation of superlattice structure parameters using quasi-forbidden reflections
V.P. Kladko, L.I. Datsenko, A.A. Korchovyi, V.F. Machulin, P.M. Lytvyn, A.V. Shalimov, A.V. Kuchuk, P.P. Kogutyuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2003. V. 6, N 3. P. 392-396Download: [pdf]



укр
eng