укр
eng
Дата та місце народження: 24 січня 1979 р.
Освіта:
1996-2001 Чернівецький національний університет;
2002-2005 - Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
Наукові ступені та звання:
2006 – кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла)
Захистив кандидатську дисертацію „Структура та фізичні властивості тонкоплівкових дифузійних бар’єрів W-Ti-N та Ta-Si-N на підкладках арсеніду та нітриду галію” 19.05.2006 р.
Список публікацій:
- The relationship between strain relaxation and well/barrier thickness fluctuation in GaN/AlN short-period superlattices
A.V. Kuchuk, V.P. Kladko, Bryksa V.A., N.V. Safryuk, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, M.E. Ware, G.J. Salamo. // Applied Physic Letters, 2012. V.100, (in press) - Влияние деформаций на рост и оптические свойства AlxGa1-xN/GaN многослойных структур
В.П. Кладько, А.В. Кучук, Д.В. Корбутяк, С.М. Калитчук, Н.В. Сафрюк, А.Е. Беляев, Б.С. Явич // Физика и техника полупроводников, 2012. Т.46, (подготовка). - The Influence of Annealing on Structural and Luminescence Characteristics of ZnS:Cu
Yu. Bacherikov, N. Korsunska, V. Kladko, A. Kuchuk, A. Zhuk, T. Kryshtab // Physica Status Solidi (A), 2012. V.209. Issue 2. P.001-006.Download: [pdf] - Структурные превращения в ZnS:Cu в процессе термического отжига.
Бачериков Ю.Ю., Корсунська Н.Е., Кладько В.П., Венгер Е.Ф., Баран Н.П., Кучук А.В., Жук А.Г. // Физика и Техника Полупроводников, 2012. V.46. выпуск 2. C.198-203.Download: [pdf] - Low-temperature method for thermochromic high ordered VO2 phase formation
Melnyk V.P., Khazevich I.V., Kladko V.P., Kuchuk A.V., Nikirin V.V., Romanyuk B.M. // Materials Letters, 2012, V.68 P.215-217. doi:10.1016/j.matlet.2011.10.075Download: [pdf] - Интегральная схема СВЧ на подложке из поликристаллической алмазной пленки для модулятора сантиметрового диапазона
Басанец В.В., Болтовец Н.С., Гуцул А.В., Зоренко А.В., Ральченко В.Г., Беляев А.Е., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Кучук А.В., Миленин В.В. // Журнал Технической Физики, 2012. том 82, выпуск 9. (в печати) - Influence of carbon layer on the properties of Ni-based ohmic contact to n-type 4H-SiC
Z. Adamus, P. Borowicz, M. Wzorek, M. Borysiewicz, K. Korwin-Mikke, M. Latek, A. Barcz, K. Golaszewska, E. Kaminska, A. Piotrowska, A. Kuchuk, V. Kladko // Journal of Applied Physics, 2012, - Ni-based Ohmic Contacts to n-type 4H-SiC
A. Piotrowska, E. Kaminska, M. Borysiewicz, K. Golaszewska, M. Wzorek, A. Kuchuk, V. Kladko, R. Ratajczak // APL, 2012. - Substrate effects on the strain relaxation in GaN/AlN short-period superlattices
V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, O.M. Yefanov, P.M. Lytvyn, N.V. Safryuk, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, E.A. DeCuir Jr, M.E. Ware, and G.J. Salamo // Journal of Applied Physics 2012, 111, (submitted) - The Formation Mechanism of Ni-based Ohmic Contacts to 4H-n-SiC
Andrian V. Kuchuk, Vasyl P. Kladko, Krystyna Golaszewska, Marek Guziewicz, Marek Wzorek, Eliana Kaminska, and Anna Piotrowska // Material Science Forum, 2012. V.713, P.001-004.Download: [pdf]
