Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Гудименко Олександр Йосипович

Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]

  1. Lateral ordering of self-organized SiGe nanoislands grown on Si1-xGex sublayers
    Валах M.Я., Кладько В.П., Николенко A.С., Стрельчук В.В., Литвин П.M., Гудыменко А.И., Слободян М.В., Красильник З.Ф., Новиков А.А. // Journal of Applied Physics. 2010. Т.109. (подготовка)

  2. Методичні аспекти рентгенодифрактометричного контролю складу шарів багатокомпонентних сполук
    Слободян М.В., Гудименко О.Й., Кладько В.П. // Український фізичний журнал, 2010.

  3. Оптичні та структурні властивості багатошарових структур з GeSi наноострівцями
    V.O. Yukhymchuk, M.Ya. Valakh, V.P. Kladko, A.V. Novikov, O.Yo. Gudymenko, M.V. Slobodian // УФЖ, 2010

  4. Influence of small miscut of substrate and buffer layer Si1-xGex on grown SiGe lateral ordering nanoislands
    Kladko V.P., Slobodian M.V., Gudymenko O.Yo., Krasilnik Z.F., Lobanov D.N., Novikov А.V.  // Applied Physics Letter

  5. Особливості дефектоутворення в приповерхневих шарах монокристалів кремнію при акустостимульованій імплантації іонів бору та миш'яку
    О.Й. Гудименко, В.П. Кладько, В.П. Мельник, Я.М. Оліх, В.Г. Попов, Б.М. Романюк, М.В. Слободян, П.П. Когутюк  // Український фізичний журнал, 2008, т.53, №2. C.140-145.

    Download: [pdf]

  6. Влияние анизотропии полей деформации в многослойных структурах на спектры отражения рентгеновских лучей
    А.Н. Ефанов, В.П. Кладько, А.И. Гудыменко, В.В. Стрельчук, Ю. Мазур, Чж. Ванг, Г. Саламо // Металлофизика новейшие технологии. /Metall. phys. and Adv. Technol. 2006, т.28, №4, с.441—448

    Download: [pdf]

  7. Fields of deformation anisotropy exploration in multilayered (In,Ga)As/GaAs structures by high-resolution X-ray scattering
    O. Yefanov, V. Kladko, O. Gudymenko, V.Strelchuk, Yu.Mazur, Zh.Wang, G.Salamo // Phys. Stat. Sol. (a) 203, No. 1, 154–157 (2006) (cited 3 times)

    Download: [pdf]

  8. Effect of growth temperature on the luminescent and structural properties of InGaAsSbN/GaAs quantum wells for 1.3 mkm telecom application
    L. Borkovska, O. Yefanov, O. Gudymenko, S. Johnson, V. Kladko, N. Korsunska, T. Kryshtab, Yu. Sadofyev, Y.-H. Zhang // Thin Solid Films 515 (2006) 786 – 789. (Cited 2 times)

    Download: [pdf]

  9. Study of strain relaxation in CdSe/ZnSe nanostructures
    L. Borkovska, R. Beyer, O. Gudymenko, V. Kladko, N. Korsunska, T. Kryshtab, Yu. Sadofyev, Ye. Venger // Journal of Crystal Growth, 2005, 275, Issues 1-2. e2281-e2287. (cited 2 times)

    Download: [pdf]

  10. Enhanced relaxation of SiGe layers by He implantation supported byin situ ultrasonic treatments
    B. Romanjuk, V. Kladko, V. Melnik, V. Popov, V. Yukhymchuk, A. Gudymenko, Ya. Olikh, G. Weidner, D. Kruger // Materials Science in Semiconductor Processing V.8 (2005) 171–175. (cited 4 times)

    Download: [pdf]

[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]

 
© 2006-2010. Розробка сайту: Веб-студiя "DreamArts"