укр
eng
Гудименко Олександр Йосипович - кандидат фізико-математичних наук, науковий співробітник
Кандидатська дисертація "Рентгенівська дифрактометрія приповерхневих шарів та гетероструктур на основі Si(Ge) та In(Ga)As" захищена в Спецраді ІФН 18.01.2012 р.
Список публікацій:
- Эффекты латерального упорядочения самоорганизованных SiGe наноостровков, выращенных на напряженных Si1-xGex буферных слоях
В.В. Стрельчук, A.С. Николенко, П.M. Литвин, В.П. Кладько, А.И. Гудыменко, М.Я. Валах, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков // Физика и техника полупроводников, 2012. Т.46, в.5, С.665-672.Download: [pdf] - Структурные и оптические свойства гетероструктур с прямозонными и непрямозонными Ga(Al)As/InAs квантовыми точками.
В.В. Стрельчук, А.Ф. Коломыс, В.П. Кладько, А.И. Гудыменко // ФТП, 2012 - Методичні аспекти рентгенодифрактометричного контролю складу шарів багатокомпонентних сполук
Гудименко О.Й., Кладько В.П., Слободян М.В., Круковський С.І. // Український фізичний журнал, 2012. T.57, (підготовка до друку) - Вплив інтердифузії на особливості формування GeSi наноострівців в структурах Si-Ge-Si при низьких температурах епітаксії
Юхимчук В.О., Кладько В.П., Валах M.Я., Гудименко О.Й. // УФЖ, 2012, T.57, (підготовка до друку) - Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців в багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах
В.O. Юхимчук, M.Я. Валах, В.П. Kладько, M.В. Слободян, O.Й. Гудименко, З.Ф. Красільнік, О.В. Новіков // Український Фізичний Журнал, 2011, T.56, №3, C.254-262.Download: [pdf] - Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands
Gudymenko O.Yo., Kladko V.P., Yefanov O.M., Slobodian M.V., Yu.S. Polischuk, Krasilnik Z.F., Lobanov D.N., Novikov А.V. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2011. V.14, No 4, P.389-392.Download: [pdf] - Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layer
Oberemok O., Litovchenko V., Gamov D., Popov V., Melnik V., Gudymenko O., Nikirin V., Khatsevich І. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2011. V.14, N3, P.269-273.Download: [pdf] - Эффекты латерального упорядочения самоорганизованных SiGe наноостровков, выращенных на напряженных Si1-xGex буферных слоях
Валах M.Я., Николенко A.С., Стрельчук В.В., Литвин П.M., Кладько В.П., Гудыменко А.И., Слободян Н.В., Красильник З.Ф., Новиков А.А., Лобанов Д.Н. // Труды XV международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 2011, Т.2. С.430-431.Download: [pdf] - Спосіб виготовлення термохромної плівки діоксиду ванадію методом магнетронного розпилення
Романюк Б.М., Мельник В.П., Хацевич І.М., Голтвянський Ю.В., Нікірін В.А., Попов В.Г., Гудименко О.Й., Оберемок О.С. // Патент України на корисну модель №62706. Бюл. №17 12.09.2011. - Structural changes in Cz-Si single-crystal irradiated by high-energy electron from high-resolution X-ray diffractometry
І.М. Fodchuk, V.V. Dovganyuk, Т.V. Litvinchuk, V.P. Kladko, М.V. Slobodian, O.Yo. Gudymenko, Z. Swiatek // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010. V. 13, N 2. P. 209-213.Download: [pdf]
