укр
eng
Гудименко Олександр - кандидат фізико-математичних наук, науковий співробітник
Дата та місце народження: 23 березня 1967 р., с. Лісники, Києво-Святошинський р-н., Київська обл.
Освіта:
1996-2001 Київський національний університет імені Тараса Шевченка;
Наукові ступені та звання:
2012 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д.26.199.01 Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України
Кар’єра:
2001-2003 - інженер
2003-2011 - молодший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова
2011-дотепер - науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова
Кандидатська дисертація "Рентгенівська дифрактометрія приповерхневих шарів та гетероструктур на основі Si(Ge) та In(Ga)As" захищена в Спецраді ІФН 18.01.2012 р.
Список публікацій:
- Вплив інтердифузії на релаксацію механічних напружень та компонентний склад в самоорганізованих SiGe наноострівцях
Валах М.Я., Гудименко О.Й., Джаган В.М., Кладько В.П., Красильник З.Ф., Литвин П.М., Мачулін В.Ф., Новіков О.В., Юхимчук В.О. // Металлофизика и новейшие технологии. 2004, Т.26, №6. С.741-751.Download: [pdf] - Enhanced relaxation of SiGe layers by He implantation supported byin situ ultrasonic treatments
V. Kladko, A. Gudymenko, V. Melnik, V. Popov, B. Romanjuk, V. Yukhymchuk, Ya. Olikh, G. Weidner and D. Kruger // Proc. 2nd Intern. SiGe Technol. and Device Meeting (ISDTM) 2004, Frankfurt/Oder. P.173-174.Download: [pdf] - Investigation of intrinsic defects and their distribution in CdSe/ZnSe quantum dot structures
T.G. Kryshtab, N.O. Korsunska, Yu.G. Sadofyev, V.P. Kladko, L.V. Borkovska, M.O. Mazin, V.I. Kushnirenko, O.I. Gudymenko, Ye.F. Venger // Materials Science and Engineering C 23 (2003) 715–719Download: [pdf] - Рентгенодифракционные исследования 2D-3D структурных переходов в наноразмерных многослойных периодических структурах
В.П. Кладько, В.Ф. Мачулин, И.В. Прокопенко, В.В. Стрельчук, А.И. Гудыменко, А.А. Корчевой // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології; Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies, 2003, т. 1, № 2, сс. 447-457Download: [pdf] - Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals
M.E.Seitmuratov, V.P. Kladko, O.I. Gudymenko, L.I. Datsenko, I.V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2002. V. 5, N 3. P. 258-260Download: [pdf] - Concerning the subject of X-ray scattering by large dislocation loops
V.P. Klad’ko, M.Ya. Skorokhod, L.I. Datsenko, O.I. Gudymenko // Український Фізичний Журнал, 2002, Т.47, №7. C.675-679.Download: [pdf]
