укр
eng
В 1973 р. закінчив факультет радіоелектроніки Київського Політехнічного Інституту (м. Київ) за спеціальністю “напівпровідники і діелектрики”.
Кандидат фізико-математичних наук, 30.06.1978 р. Дисертація захищена у спеціалізованій вченій раді при Інституті фізики напівровідників АН УРСР.
Доктор фізико-математичних наук, 04.06.1995 р. Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України.
Член-кореспондент НАН України, обраний 07.04.2000 р.
Професор за спеціальністю “Фізика твердого тіла”, присвоєно 2007 р.
Академік НАН України, обраний 03.02.2009 р.
Основні етапи науково-педагогічної діяльності:
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України:
1973 – 1977 – Аспірант ІФН НАН України
15.05.1979 – Молодший науковий співробітник ІФН НАН України
11.02.2003 – по т.ч. – Директор ІФН НАН України
Президія НАН України:
23.11.81 – 29.09.83 – Науковий співробітник- консультант Науково-організаційного відділу Президії АН УРСР
29.09.83 – 05.05.88 – Заступник начальника Науково-організаційного відділу, керівник сектора Президії АН УРСР
12.04.93 – 07.02.03 – Начальник Науково-організаційного відділу Президії НАН України
01.09.2011 - Головний вчений секретар Президії НАН України
Вища атестаційна комісія України:
01.08.2003 –01.08.2011 Голова ВАК України
Двічі Лауреат державних премій України в галузі науки і техніки (1994 р. та 2003 р.).
"Ренгено-оптико-акустичні явища в реальних кристалах при комбінованому впливі різних фізичних полів" (1994 р.)
"Монокристали сапфіру: розробка високорентабельних технологій, освоєння промислового виробництва конкурентноздатних на світовому ринку сапфірових елементів для оптики, електроніки та медицини" (2003 р.).
Заслужений діяч науки і техніки України (1998 р.)
Підготував трьох докторів наук: Гололобов Ю.І. (спеціальність 01.04.10 – фізика напівпровідників та діелектриків, 1999 р.), Кладько В.П. (спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла, 2000 р.), Оліх Я.М. (спеціальність 01.04.10 – фізика напівпровідників та діелектриків, 2011 р.) та двох кандидатів наук: Красуля С.М. (спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла, 1996 р.) та Мельник В.М. (спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла, 2000 р.).
Член Бюро Відділення фізики та астрономії України. Член міжвідомчої Ради з координації фундаментальних досліджень в Україні.
Список публікацій:
- Influence of template type and buffer strain on structural properties of GaN multilayer quantum wells grown by PAMBE. X-Ray study.
V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, P.M. Lytvyn, V.G. Raicheva, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, E.A. DeCuir Jr, M.E. Ware, and G.J. Salamo // Journal of Physics D: Applied Physics, 2011. V.44. No2, P.025403(8), (cited 3 times)Download: [pdf] - Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении количества квантовых ям в InGaN/GaN многослойных структурах
Кладько В.П., Кучук А.В., Сафрюк Н.В., Мачулин В.Ф., Беляев А.Е., Конакова Р.В., Явич Б.С., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю. // Физика и техника полупроводников, 2011. Т.45, вып.6, C.770-777.Download: [pdf] - Mechanisms of oxygen precipitation in Cz-Si wafers subjected to rapid thermal anneals
A Sarikov, I Lisovskyy, V Litovchenko, M Voitovich, S Zlobin, V Kladko, M Slobodian, and V Machulin // Journal of the Electrochemical Society 2011, Vol.158 Issue 8. P.H772-H777. (cited 1 times)Download: [pdf] - Evolution of the Deformation State and Composition as a Result of Changes in the Number of Quantum Wells in Multilayered InGaN/GaN Structures
V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, B.S. Yavich, B.Ya. Ber, and D.Yu. Kazantsev // Semiconductors, 2011, Vol.45, No.6, p.753–760.Download: [pdf] - Многопараметрическая кристаллография на основе многообразности картины многократного рассеяния брэгговских и диффузных волн (метод стоячих диффузных волн)
В.Б. Молодкин, А.П. Шпак, М.В. Ковальчук, В.Ф. Мачулин, В.Л. Носик // УФН, (2011), 181, №7, С.681–712.Download: [pdf] - Многообразность динамической картины рассеяния излучений монокристаллами с несколькими типами микродефектов (Diversity of the dynamical pattern of radiations scattering by single crystals with several types of defects)
В.Б. Молодкин, А.П. Шпак, М.В. Ковальчук, В.Ф. Мачулин, И.М. Карнаухов, В.Л. Носик, А.Ю. Гаевский, В.П. Кладько, С.И. Олиховский, Е.Г. Лень, Б.В. Шелудченко, С.В. Лизунова, В.В. Молодкин, С.В. Дмитриев, В.В. Лизунов. // Металлофизика и нов. технологии (Metallofizika i Noveishie Tekhnologii), 2011, Т.33, №8, С.1083-1110.Download: [pdf] - Физические основы многопараметрической кристаллографии: диагностика дефектов нескольких типов в монокристаллических материалах и изделиях нанотехнологий
В.Б. Молодкин, М.В. Ковальчук, В.Ф. Мачулин, Э.Х. Мухамеджанов, С.В. Лизунова, С.И. Олиховский, Е.Г. Лень, Б.В. Шелудченко, С.В. Дмитриев, Е.С. Скакунова, В.В. Молодкин, В.В. Лизунов, В.П. Кладько, Е.В. Первак // Успехи физики металлов, 2011, Т.12, С.295-366. - X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
Kladko V.P., Kuchuk A.V., Safryuk N.V., Machulin V.F., Belyaev A.E., Konakova R.V., Yavich B.S. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2010. V.13, No1. P.1-7. (cited 3 times)Download: [pdf] - Рентгеновская дифрактометрия и сканирующая микро-рамановская спектроскопия неоднородностей структуры и деформаций по глубине многослойной гетероструктуры InGaN/GaN
Стрельчук В.В., Кладько В.П., Авраменко К.А., Коломыс А.Ф., Сафрюк Н.В., Конакова Р.В., Явич Б.С., Валах М.Я., Мачулин В.Ф., , Беляев А.Е. // Физика и техника полупроводников, 2010. T.44. вып.9. C.1236-1247. (cited 4 times)Download: [pdf] - Study of the mechanisms of oxygen precipitation in RTA annealed Cz-Si wafers
V. Litovchenko, I. Lisovskyy, M. Voitovych, A. Sarikov, S. Zlobin, V. Kladko, V. Machulin // Solid State Phenomena. 2010. V.156-158, P.279-282. (cited 1 times)Download: [pdf]
