укр
eng
Дата та місце народження: 28 червня 1983, м.Чернівці
Освіта:
1997-2000 Чернівецький міський фізико-математичний ліцей №1;
2000-2004 Бакалавр фізики твердого тіла з відзнакою, Чернівецький національний університет;
2004-2005 Магістр фізики твердого тіла з відзнакою, Чернівецький національний університет;
2005- Аспірант інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
Захистив кандидатську дисертацію „Вплив тривимірного впорядкування та деформацій на дифракцію Х-променів у реальних багатошарових структурах”
20.02.2009 р.
Область наукових інтересів: дифракція Х-променів, багатошарові епітаксійні структури, моделювання процесів розсіяння.
Нагороди та премії:
Перша премія за найкращу усну доповідь англійською мовою на міжнародному науковому семінарі «Современные методы анализа дифракционных данных (топография, дифрактометрия, электронная микроскопия)» (Великий Новгород, Росія, 2006).
Іноземні мови: англійська розмовна, технічна
Екпериментальна робота: високороздільний Х-променевий дифрактометр PANalytical X’Pert Pro MRD XL
Список публікацій:
- Методичні аспекти рентгенодифрактометричного контролю складу шарів багатокомпонентних сполук
Гудименко О.Й., Кладько В.П., Слободян М.В., Круковський С.І. // Український фізичний журнал, 2012. T.57, (підготовка до друку) - Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців в багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах
В.O. Юхимчук, M.Я. Валах, В.П. Kладько, M.В. Слободян, O.Й. Гудименко, З.Ф. Красільнік, О.В. Новіков // Український Фізичний Журнал, 2011, T.56, №3, C.254-262.Download: [pdf] - Mechanisms of oxygen precipitation in Cz-Si wafers subjected to rapid thermal anneals
A Sarikov, I Lisovskyy, V Litovchenko, M Voitovich, S Zlobin, V Kladko, M Slobodian, and V Machulin // Journal of the Electrochemical Society 2011, Vol.158 Issue 8. P.H772-H777. (cited 1 times)Download: [pdf] - Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands
Gudymenko O.Yo., Kladko V.P., Yefanov O.M., Slobodian M.V., Yu.S. Polischuk, Krasilnik Z.F., Lobanov D.N., Novikov А.V. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2011. V.14, No 4, P.389-392.Download: [pdf] - Эффекты латерального упорядочения самоорганизованных SiGe наноостровков, выращенных на напряженных Si1-xGex буферных слоях
Валах M.Я., Николенко A.С., Стрельчук В.В., Литвин П.M., Кладько В.П., Гудыменко А.И., Слободян Н.В., Красильник З.Ф., Новиков А.А., Лобанов Д.Н. // Труды XV международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 2011, Т.2. С.430-431.Download: [pdf] - Structural changes in Cz-Si single-crystal irradiated by high-energy electron from high-resolution X-ray diffractometry
І.М. Fodchuk, V.V. Dovganyuk, Т.V. Litvinchuk, V.P. Kladko, М.V. Slobodian, O.Yo. Gudymenko, Z. Swiatek // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010. V. 13, N 2. P. 209-213.Download: [pdf] - Internal strains and crystal structure of the layers in AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire substrate
Kladko V.P., Kolomys O.F., Slobodian M.V., Strelchuk V.V., Raycheva V.G., Belyaev O.Ye., Bukalov S.S., Hardtdegen H., Sydoruk V.A., Klein N. and Vitusevich S.A. // Journal of Applied Physics, 2009. V.105. Issue 6. P.063515(9). DOI: 10.1063/1.3094022 (Cited 11 times)Download: [pdf] - Self-organized three-dimensional spatial ordering of quantum dot arrays in InGaAs/GaAs
V.P. Kladko, М.V. Slobodian, P.M. Lytvyn, V.V. Strelchuk, Yu.I. Mazur, E. Marega, M. Hussein and G.J. Salamo // Phys. Stat. Solidi (a), 2009. V.206. No 8. P.1748-1751. DOI 10.1002/pssa.200881593 (Cited 2 times)Download: [pdf] - Дифракційна характеризація мікродефектної структури ізохронно відпалених кристалів кремнію
В.Б. Молодкін, В.П. Кладько, С.Й. Оліховський, Є.М. Кисловський, Т.П. Владімірова, Є.В. Кочелаб, Р.Ф. Середенко, М.В. Слободян, О.В. Решетник // Металофізика і новітні технології, 2009. Т.31, №9. С.1205-1222.Download: [pdf] - Вплив радіуса кривизни багатошарових структур на спектри дифракції Х-променів
В.П. Кладько, М.В. Слободян, В.Ф. Мачулін // Український фізичний журнал, 2008, T.53. №2. C.167-171. (cited 2 times)Download: [pdf]
