укр
eng
Born: 28 June 1983, Chernivtsy
Education:
1997-2000 Chernivtsy phisical & mathematical liceum N1
2000-2004 Bachelor degree with honor in solid state physics, Chernivtsy national university
2004-2005 Master degree with honor in solid state physics, Chernivtsy national university
2005-up to now post-graduate study in the Institute of semiconductor physics NAS Ukraine
Thesis: X-ray diffuse scattering in multilayer structures with lateral modulated quantum dots and wires
Scientifical interests: X-ray diffraction, multilayer epitaxial structures, simulation of the scattering processes
Honours & awards: first prize for the best oral report on the international scientifical seminar "Modern methods for diffraction data analisys (topography, diffractometry, electron microscopy)" (Velikiy Novgorod, Russia, 2006)
Languages: english - oral and technical
Experimental work: high-resolution X-ray diffractometer "PANalytical X'Pert Pro MRD XL"
Список публікацій:
- Исследование плазмонных плёночных наноструктур золота методами рентгеновской рефлектометрии и дифрактометрии
А.И. Гудыменко, С.Б. Кривой, Г.В. Станчу, В.П. Кладько, Н.В. Сафрюк, Н.В. Слободян // Металлофизика и новейшие технологии , 2015, T.37, № 9, C.1215—1223Download: [pdf] - Investigation of Plasmon Gold Film Nanostructures by Means of both X-Ray Reflectometry and Diffractometry
O.Y. Gudymenko, S.B. Kryvyi, H.V. Stanchu, V.P. Kladko, N.V. Safryuk, M.V. Slobodian // Metallofizika i noveĭshie tekhnologii, 2015, V.37, Issue 9, P.1215-1223.Download: [pdf] - Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців в багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах
В.O. Юхимчук, M.Я. Валах, В.П. Kладько, M.В. Слободян, O.Й. Гудименко, З.Ф. Красільнік, О.В. Новіков // Український Фізичний Журнал, 2011, T.56, №3, C.254-262.Download: [pdf] - Mechanisms of oxygen precipitation in Cz-Si wafers subjected to rapid thermal anneals
A Sarikov, I Lisovskyy, V Litovchenko, M Voitovich, S Zlobin, V Kladko, M Slobodian, and V Machulin // Journal of the Electrochemical Society 2011, Vol.158 Issue 8. P.H772-H777. (cited 4 times)Download: [pdf] - Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands
Gudymenko O.Yo., Kladko V.P., Yefanov O.M., Slobodian M.V., Yu.S. Polischuk, Krasilnik Z.F., Lobanov D.N., Novikov А.V. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2011. V.14, No 4, P.389-392.Download: [pdf] - Эффекты латерального упорядочения самоорганизованных SiGe наноостровков, выращенных на напряженных Si1-xGex буферных слоях
Валах M.Я., Николенко A.С., Стрельчук В.В., Литвин П.M., Кладько В.П., Гудыменко А.И., Слободян Н.В., Красильник З.Ф., Новиков А.А., Лобанов Д.Н. // Труды XV международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 2011, Т.2. С.430-431.Download: [pdf] - Peculiarities of Nucleation and Ordering of GeSi Nanoislands in Multilayer Structures Formed on Si and Si1xGex Buffer Layers
V.O. Yukhymchuk, M.Ya. Valakh, V.P. Kladko, M.V. Slobodian, O.Yo. Gudymenko, Z.F. Krasilnik, A.V. Novikov // Ukrainian Journal of Physics, 2011. V.56, No.3. P.254-262.Download: [pdf] - Structural changes in Cz-Si single-crystal irradiated by high-energy electron from high-resolution X-ray diffractometry
І.М. Fodchuk, V.V. Dovganyuk, Т.V. Litvinchuk, V.P. Kladko, М.V. Slobodian, O.Yo. Gudymenko, Z. Swiatek // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010. V. 13, N 2. P. 209-213.Download: [pdf] - Internal strains and crystal structure of the layers in AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire substrate
Kladko V.P., Kolomys O.F., Slobodian M.V., Strelchuk V.V., Raycheva V.G., Belyaev O.Ye., Bukalov S.S., Hardtdegen H., Sydoruk V.A., Klein N. and Vitusevich S.A. // Journal of Applied Physics, 2009. V.105. Issue 6. P.063515(9). DOI: 10.1063/1.3094022 (Cited 29 times)Download: [pdf] - Three-dimensional ordering in self‐organized (In,Ga)As quantum dot multilayer structures
V.P. Kladko, М.V. Slobodian, P.M. Lytvyn, V.V. Strelchuk, Yu.I. Mazur, E. Marega, M. Hussein and G.J. Salamo // Phys. Stat. Solidi (a), 2009. V.206. No 8. P.1748-1751. DOI 10.1002/pssa.200881593 (Cited 6 times)Download: [pdf]
