укр
eng
:: 1970 :: 1979 :: 1981 :: 1982 :: 1983 :: 1984 :: 1985 :: 1986 :: 1987 :: 1988 :: 1989 :: 1990 :: 1991 :: 1992 :: 1993 :: 1994 :: 1995 :: 1996 :: 1997 :: 1998 :: 1999 :: 2000 :: 2001 :: 2002 :: 2003 :: 2004 :: 2005 :: 2006 :: 2007 :: 2008 :: 2009 :: 2010 :: 2011 :: 2012 :: 2013 :: 2014 :: 2015 :: 2016 :: 2017 :: 2018 :: 2019 :: 2020 :: 2021 :: 2022 ::
[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]
- Influence of the Curvature Radius of Multilayer Structures on X-Ray Diffraction Spectra
V.P. Kladko, M.V. Slobodyan, V.F. Machulin // Ukrainian Journal of Physics, 2008, T.53. №2. C.167-171. (cited 2 times)Download: [pdf] - Особливості дефектоутворення в приповерхневих шарах монокристалів кремнію при акустостимульованій імплантації іонів бору та миш'яку
О.Й. Гудименко, В.П. Кладько, В.П. Мельник, Я.М. Оліх, В.Г. Попов, Б.М. Романюк, М.В. Слободян, П.П. Когутюк // Український фізичний журнал, 2008, т.53, №2. C.140-145. cited 2 timesDownload: [pdf] - A new type of structural defects in CdZnSe/ZnSe heterostructures.
L.Borkovska, N.Korsunska, V.Kladko, M.Slobodyan, O.Yefanov, Ye.Venger, T.Kryshtab, Yu.Sadofyev, I.Kazakov // Microelectronics Journal. 2008. V. 39, Issue 3-4, P.589-593.Download: [pdf] - Mechanism of dislocation-governed charge transport in schottky diodes based on gallium nitride.
A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudrik, A.V. Kuchuk, V.V. Milenin, Yu.N. Sveshnikov, V.N. Sheremet // Semiconductors, 2008, Vol.42, No 6, P.689-694. (cited 20 times)Download: [pdf] - Effect of Growth Defects on the Structure of Oxygen Precipitates in Cz-Si Crystals of Different Diameter.
Litovchenko V.G., Lisovskyy I.P., Claeys C., Kladko V.P., Zlobin S.O., Muravska M.V., Efremov O.O., Slobodian M.V. // Solid State Phenomena. 2008. V.131-133, P.405-412. (cited 1 times)Download: [pdf] - Дослідження внутрішніх механічних напружень в кристалах Si, вирощених методом безтигельної зонної плавки
Асніс Ю.А., Баранський П.І., Бабич В.М., Заболотін С.П., Кладько В.П., Слободян М.В. // Металлофизика и новейшие технологии. 2008, Т.30, № 9. С.1229-1238.Download: [pdf] - Accessible reciprocal-space region for non-coplanar Bragg and Laue geometries
O. Yefanov // Journal of Applied Crystallography, 2008, Vol.41, Part 1. P.110-114. http://dx.doi.org/10.1107/S0021889807048765 (cited 2 times)Download: [pdf] - Fabrication and characterization of nickel silicide ohmic contacts to n-type 4H Silicon Carbide
A. Kuchuk, V. Kladko, M.Guziewicz, A.Piotrowska, R.Minikayev, A.Stonert, R.Ratajczak. // Journal of Physics: Conference Series 2008. V.100. Issue 4. (042003). (cited 20 times)Download: [pdf] - XVis: educational open source program for demonstration of reciprocal space construction and diffraction principles
O. Yefanov, V. Kladko, M. Slobodyan, Yu. Polischuk // Journal of Applied Crystallography, 2008. V.41. Part 3. P.647-652. doi:10.1107/S0021889808008625Download: [pdf] - Long-term stability of Ni-silicide ohmic contact to n-type 4H-SiC
Kuchuk A.V., Guziewicz M., Ratajczak R., Wzorek M., Kladko V.P., Piotrowska A. // Microelectronic Engineering. 2008, V.85. Issue 10. P.2142-2145. (Cited 17 times)Download: [pdf]
[<< попередня] ----- 1 2 ----- [наступна >>]
