укр
eng
:: 1970 :: 1979 :: 1981 :: 1982 :: 1983 :: 1984 :: 1985 :: 1986 :: 1987 :: 1988 :: 1989 :: 1990 :: 1991 :: 1992 :: 1993 :: 1994 :: 1995 :: 1996 :: 1997 :: 1998 :: 1999 :: 2000 :: 2001 :: 2002 :: 2003 :: 2004 :: 2005 :: 2006 :: 2007 :: 2008 :: 2009 :: 2010 :: 2011 :: 2012 :: 2013 :: 2014 :: 2015 :: 2016 :: 2017 :: 2018 :: 2019 :: 2020 :: 2021 :: 2022 ::
- Эпитаксиальные слои и сверхрешетки Si/Si1-xGex. Получение и структурные характеристики
Ф.Ф. Сизов, Ю.Н. Козырев, В.П. Кладько, С.В. Пляцко, В.М. Огенко, А.П. Шевляков // Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №8, C.922-925. (Cited 3 times)Download: [pdf] - Изменение структурных и электрофизических свойств нелегированных монокристаллов InAs инфракрасным лазерным излучением
С.В. Пляцко, В.П. Кладько // Физика и техника полупроводников, 1997, том. 31, №10Download: [pdf] - Si/Si1-xGex epitaxial layers and superlattices. Growth and structural characteristics
F.F. Sizov, V.P. Kladko, S.V. Plyatsko, A.P. Shelyakov, Yu.N. Kozyrev, V.M. Ogenko // Semiconductors 31 1997, (8), P.786-788. (Cited 3 times)Download: [pdf] - Effect of infrared laser radiation on the structure and electrophysical properties of undoped single-crystal InAs
S.V. Plyatsko, V.P. Kladko // Semiconductors 31 (10)Download: [pdf] - Механізм формування структурної неоднорідності в монокристалах А3В5 та її вплив на iнтегральну інтенсивність квазiзаборонених рефлексiв.
Кладько В.П. // Український Фізичний Журнал, 1997, Т.42, №9. С.1102-1104.Download: [pdf] - Аналіз нестехiометрiї GaAs при вимірюваннях інтенсивності квазiзаборонених рефлексів поблизу К-країв поглинання.
Кладько В.П. // Український Фізичний Журнал, 1997, Т.42, №7. С.894-897. - Вплив лазерного IЧ-опромiнення на поведінку власних точкових дефектів в монокристалах арсеніду індію.
Пляцко С.В., Кладько В.П. // Український Фізичний Журнал, 1997, Т.42, №6. С.722-727.Download: [pdf]
