укр
eng
Кладько Василь - доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки
Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА
Дата і місце народження: 12 січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець
Освіта:
1974 – 1979 – студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет
1982 – 1985 – аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР
Наукові ступені та звання:
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.).
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу "Дифракційних досліджень структури напівпровідників" Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна
Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: фізика твердого тіла, резонансне розсіяння випромінювань, фізика і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників, розсіювання вторинних випромінювань
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, надгратки і квантові ями (точки), фізика і реальна структура кристалічних матеріалів, рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics"
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси"
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 260
- Кількість статей в реферованих міжнародних журналах: 80 (h-index = 5)
- Кількість конференцій: 107
- Кількість монографій: 4 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
Педагогічна діяльність:
Підготував 4 кандидатів фіз.-мат. наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла).
Керівник 2 дисертаційних робіт: аспірантка Сафрюк Н.В., м.н.с. Гудименко О.Й.
Список публікацій:
- Lateral ordering of self-organized SiGe nanoislands grown on Si1-xGex sublayers
Валах M.Я., Кладько В.П., Николенко A.С., Стрельчук В.В., Литвин П.M., Гудыменко А.И., Слободян М.В., Красильник З.Ф., Новиков А.А. // Journal of Applied Physics. 2011. Т.109. (подготовка) - The relationship between strain relaxation and well/barrier thickness fluctuation in GaN/AlN short-period superlattices
A.V. Kuchuk, V.P. Kladko, N.V. Safryuk, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, M.E. Ware, G.J. Salamo. // Journal of Crystal Growth, 2011. V.325, (in press) - Многопараметрическая диффузно-динамическая комбинированная дифрактометрия многослойных систем (Часть І. Кривые отражения в геометриях Лауэ и Брэгга)
В.Б. Молодкин, В.Л. Носик, В.Ф. Мачулин, В.П. Кладько, С.И. Олиховский, А.Ю. Гаевский, Е.Н. Кисловский, Е.Г. Лень, С.В. Лизунова, Е.С. Скакунова, С.В. Дмитриев, В.В. Молодкин // Металлофизика и новейшие технологии. 2011. (submitted) - Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении числа КЯ в многослойных структурах InGaN/GaN
Кладько В.П., Кучук А.В., Сафрюк Н.В., Явич Б.C., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Беляев А.Е. // Физика и техника полупроводников, 2011. Т.45 (підготовка до друку) - Методичні аспекти рентгенодифрактометричного контролю складу шарів багатокомпонентних сполук
Слободян М.В., Гудименко О.Й., Кладько В.П. // Український фізичний журнал, 2011. - Влияние режима перегрева p-n перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов
Беляев А.Е., Басанец В.В., Болтовец Н.С., Зоренко А.В., Капитанчук Л.М., Кладько В.П., Конакова Р.В., Колесник Н.В., Крицкая Т.В., Кудрик Я.Я., Кучук А.В., Миленин В.В., Атаубаева А.Б. // Физика и Техника Полупроводников, 2011. Т.45 - Structural changes in Cz-Si single-crystal irradiated by high-energy electron from high-resolution X-ray diffractometry
І.М. Fodchuk, V.V. Dovganyuk, Т.V. Litvinchuk, V.P. Kladko, М.V. Slobodian, Z. Swiatek // SPQO, 2011 - Mechanisms of oxygen precipitation in Cz-Si subjected to rapid thermal annealing
Andrey Sarikov, Maria Vitovich, Sergey Zlobin, Igor Lisovskyy, Vladimir Litovchenko, Mikola Slobodian, Vasyl Kladko, and Vladimir Machulin // Applied Physic Letters - X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
Kladko V.P., Kuchuk A.V., Safryuk N.V., Machulin V.F., Belyaev A.E., Konakova R.V., Yavich B.S. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2010. V.13, No1. P.1-7.Download: [pdf] - Рентгеновская дифрактометрия и сканирующая микро-рамановская спектроскопия неоднородностей структуры и деформаций по глубине многослойной гетероструктуры InGaN/GaN
Стрельчук В.В., Кладько В.П., Авраменко К.А., Коломыс А.Ф., Сафрюк Н.В., Конакова Р.В., Явич Б.С., Валах М.Я., Мачулин В.Ф., , Беляев А.Е. // Физика и техника полупроводников, 2010. T.44. вып.9. C.1236-1247.Download: [pdf]
