Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кладько Василь Петрович


Кладько Василь - доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки

Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА

Дата і місце народження: 12  січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець

Освіта:
1974 – 1979 – студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет
1982 – 1985 – аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР

Наукові ступені та звання: 
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.). 
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)

Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу "Дифракційних досліджень структури напівпровідників" Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна

Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: фізика твердого тіла, резонансне розсіяння випромінювань, фізика і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників,  розсіювання вторинних випромінювань
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, надгратки і квантові ями (точки), фізика і реальна структура кристалічних матеріалів, рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія

Стажування за кордоном:
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)

Нагороди, Членство в Товариствах
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum   Electronics&Optoelectronics"
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси"

Публікації:
-
Загальна кількість статей в реферованих журналах: 260
- Кількість статей в реферованих міжнародних журналах: 80 (h-index = 4)
- Кількість конференцій: 107
- Кількість монографій: 4 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5

Педагогічна діяльність:

Підготував 4 кандидатів фіз.-мат. наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла).
Керівник 2 дисертаційних робіт: аспірантка Сафрюк Н.В., м.н.с. Гудименко О.Й.


Список публікацій:

  1. Интегральные характеристики структурного совершенства монокристаллов, содержащих ростовые "декорированные" дислокации.
    Даценко Л.И., Хрупа В.И., Кладько В.П., Николаев В.В.  // В кн.: ”Свойства и структура дислокаций в полупроводниках”. М.:1986. C.87-89.

  2. Простой рентгенодифракционный метод контроля глубины нарушенного слоя в реальных кристаллах.
    Хрупа В.И., Кладько В.П., Кисловский Е.Н., Когут И.В.  // Ред. журн. ”Элект. техника”, 1986. 6 с. Деп. в ЦНИИ “Электроника” – №4225.

  3. Способ контроля структурного совершенства монокристаллов
    Даценко Л.И., Гуреев А.Н., Хрупа В.И., Кисловский Е.Н., Кладько В.П,, Низкова А.И., Прокопенко И.В., Скороход М.Я.. // Авторське свідоцтво на винахід №1255906

  4. Контроль толщины нарушенных слоев, образующихся при резке и шлифовке несовершенных кристаллов.
    Кисловский Е.Н., Кладько В.П., Фомин А.В., Хрупа В.И.  // Заводская лаборатория, 1985, Т.51, №7, С.30-31

    Download: [pdf]

  5. Рассеяние рентгеновских лучей вблизи К-краев поглощения в тонких монокристаллах бинарных полупроводников.
    Даценко Л.И., Кладько В.П., Кисловский Е.Н., Хрупа В.И.  // Кристаллография, 1984, Т.29,№6, С.1066-1070.

    Download: [pdf]

  6. Изучение динамических искажений подрешеток In и Sb в антимониде индия при дифракции рентгеновских лучей вблизи K-края поглощения компонентов.
    Молодкин В.Б., Кладько В.П., Гуреев А.Н., Гудзенко Г.И., Даценко Л.И.  // Металлофизика, 1984, Т.6, №5, С.103-106.

    Download: [pdf]

  7. Рентгенодифрактометрические исследования структурного совершенства сильнопоглощающих кристаллов.
    Даценко Л.И., Крыштаб Т.Г., Кладько В.П., Кисловский Е.Н., Хрупа В.И.  // Український Фізичний Журнал, 1984, Т.29, №5. С.743-747

    Download: [pdf]

  8. Интегральные характеристики структурного совершенства, определяемые из экспериментов по лауэ-дифракции в тонком кристалле.
    Даценко Л.И., Молодкин В.Б., Кисловский Е.Н., Кладько В.П., Хрупа В.И.  // В сб.: ”Дефекты структуры в полупроводниках” Новосибирск, 1984. C.102-105.

  9. К вопросу о рентгенодифрактометрических исследованиях хаотически распределенных дислокаций в монокристаллах.
    Молодкин В.Б., Даценко Л.И.,, Хрупа В.И., Осиновский М.Е., Кисловский Е.Н., Кладько В.П., Осадчая Н.В.  // Металлофизика, 1983, Т.5, №6, С.7-15.

    Download: [pdf]

  10. Рассеяние рентгеновских лучей вблизи К-края поглощения компонентов гамма-облученных монокристаллов CdSb.
    Мельничук И.В., Куликовская С.М., Кладько В.П., Ащеулов А.А., Павлов Р.А., Грыцюк Б.Н., Раренко И.М. // Український Фізичний Журнал, 1982, Т.27, №3, С.368-371.

    Download: [pdf]


 
© 2006-2010. Розробка сайту: Веб-студiя "DreamArts"