укр
eng
Кладько Василь - доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки
Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА
Дата і місце народження: 12 січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець
Освіта:
1974 – 1979 – студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з червоним дипломом)
1982 – 1985 – аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР
Наукові ступені та звання:
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.).
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу "Дифракційних досліджень структури напівпровідників" Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна
Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.
- Подяка Президії НАН України (2010 р.)
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics"
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси"
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 300
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 100
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 162 (h-index = 7)
- Кількість конференцій: 111
- Кількість монографій: 5 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
- Патенти: 1
Педагогічна діяльність:
Підготував 6 кандидатів фіз.-мат. наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В., Сафрюк Н.В., Гудименко О.Й. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла).
Керівник дисертаційної роботи: аспірантки Поліщук Ю.С.
Список публікацій:
- Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes
A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, V.N. Sheremet, Yu.N. Sveshnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics Optoelectronics, 2007. V.10, No 4. P.1-8. (cited 2 times)Download: [pdf] - Relationship between Condition of Deposition and Properties of W-Ti-N Thin Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering
By Andrian V. Kuchuk, Vasyl P. Kladko, Oksana S. Lytvyn, Anna Piotrowska, Roman A. Minikayev, and Renata Ratajczak // Advanced engineering materials. 2006, 8, No3. P.209-212. (Cited 3 times)Download: [pdf] - Фотопреобразователи на основе эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs на подложках GaAs с развитой площадью поверхности
И.Н. Арсентьев, А.В. Бобыль, О.Ю. Борковская, Д.А. Винокуров, Н.Л. Дмитрук, А.В. Каримов, В.П. Кладько, Р.В. Конакова, С.Г. Конников, И.Б. Мамонтова // Физика и техника полупроводников, 2006, T.40, вып. 7. C.876-881.Download: [pdf] - Структурные дефекты на гетерограницах и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaN и AlGaN/GaN, выращенных на сапфире.
В.П. Кладько, С.В. Чорненький, А.В. Наумов, А.В. Комаров, М. Tacano, Ю.Н. Свешников, С.В. Витусевич, А.Е. Беляев // Физика и техника полупроводников, 2006. T.40, вып.9. C.1087-1093. (Cited 7 times)Download: [pdf] - Investigation of indium distribution in InGaAs/GaAs quantum dot stacks using high-resolution x-ray diffraction and Raman scattering
Yu. I. Mazur, Zh. M. Wang, and G. J. Salamo, V. V. Strelchuk, V. P. Kladko, V. F. Machulin, and M. Ya. Valakh, M. O. Manasreh // Journal of Applied Physics, 2006, V. 99, Issue 2, P.023517(1-10). DOI: 10.1063/1.2163009 (cited 13 times)Download: [pdf] - Термическая стабильность аморфных тонких Ta-Si-N пленок в системе металлизации Au/GaN
А.В. Кучук, В.П. Кладько, В.Ф. Мачулин, A. Piotrowska // Журнал технической физики, 2006, T.76, вып.10. C.132-135. (cited 3 times)Download: [pdf] - Решение дисперсионного уравнения в явном виде для случая двух сильных волн (The solution of the dispersion equation in an explicit format for a case of two strong waves)
А.Н. Ефанов, В.П. Кладько // Металлофиз. новейшие технологии. / Metallofiz. Noveishie Tekhnol. 2006, т.28, Issue 2, с.227—244. (Cited 5 times)Download: [pdf] - Влияние анизотропии полей деформации в многослойных структурах на спектры отражения рентгеновских лучей
А.Н. Ефанов, В.П. Кладько, А.И. Гудыменко, В.В. Стрельчук, Ю. Мазур, Чж. Ванг, Г. Саламо // Металлофизика новейшие технологии. /Metall. phys. and Adv. Technol. 2006, т.28, №4, с.441—448Download: [pdf] - Моделирование дифракции рентгеновских лучей от многослойной структуры с различным градиентом состава на границах слоев
А.Н. Ефанов, В.П. Кладько // Металлофизика и новейшие технологии. / Metallofiz. Noveishie Tekhnol. 2006, т. 28, № 5, сс. 619—629Download: [pdf] - Fields of deformation anisotropy exploration in multilayered (In,Ga)As/GaAs structures by high-resolution X-ray scattering
O. Yefanov, V. Kladko, O. Gudymenko, V.Strelchuk, Yu.Mazur, Zh.Wang, G.Salamo // Phys. Stat. Sol. (a) 203, No. 1, 154–157 (2006) (cited 7 times)Download: [pdf]
