укр
eng
Кладько Василь - доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки
Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА
Дата і місце народження: 12 січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець
Освіта:
1974 – 1979 – студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет
1982 – 1985 – аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР
Наукові ступені та звання:
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.).
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу "Дифракційних досліджень структури напівпровідників" Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна
Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: фізика твердого тіла, резонансне розсіяння випромінювань, фізика і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників, розсіювання вторинних випромінювань
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, надгратки і квантові ями (точки), фізика і реальна структура кристалічних матеріалів, рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics"
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси"
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 260
- Кількість статей в реферованих міжнародних журналах: 80 (h-index = 4)
- Кількість конференцій: 107
- Кількість монографій: 4 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
Педагогічна діяльність:
Підготував 4 кандидатів фіз.-мат. наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла).
Керівник 2 дисертаційних робіт: аспірантка Сафрюк Н.В., м.н.с. Гудименко О.Й.
Список публікацій:
- Effect of Growth Defects on the Structure of Oxygen Precipitates in Cz-Si Crystals of Different Diameter.
Litovchenko V.G., Lisovskyy I.P., Claeys C., Kladko V.P., Zlobin S.O., Muravska M.V., Efremov O.O., Slobodian M.V. // Solid State Phenomena. 2008. V.131-133, P.405-412.Download: [pdf] - Дослідження внутрішніх механічних напружень в кристалах Si, вирощених методом безтигельної зонної плавки
Асніс Ю.А., Баранський П.І., Бабич В.М., Заболотін С.П., Кладько В.П., Слободян М.В. // Металлофизика и новейшие технологии. 2008, Т.30, № 9. С.1229-1238.Download: [pdf] - Fabrication and characterization of nickel silicide ohmic contacts to n-type 4H Silicon Carbide
A. Kuchuk, V. Kladko, M.Guziewicz, A.Piotrowska, R.Minikayev, A.Stonert, R.Ratajczak. // Journal of Physics: Conference Series 2008. V.100.(042003). (cited 3 times)Download: [pdf] - XVis: educational open source program for demonstration of reciprocal space construction and diffraction principles
O. Yefanov, V. Kladko, M. Slobodyan, Yu. Polischuk // Journal of Applied Crystallography, 2008. V.41. Part 3. P.647-652. doi:10.1107/S0021889808008625Download: [pdf] - Long-term stability of Ni-silicide ohmic contact to n-type 4H-SiC
Kuchuk A.V., Guziewicz M., Ratajczak R., Wzorek M., Kladko V.P., Piotrowska A. // Microelectronic Engineering. 2008, V.85. Issue 10. P.2142-2145. (Cited 2 times)Download: [pdf] - Engineering of 3D self-directed QD ordering in multi-layer InGaAs/GaAs nanostructures by flux gas composition.
P.M. Lytvyn, Yu.I. Mazur, Jr.E. Marega, V.G. Dorogan, V.P. Kladko, M.V. Slobodian, V.V. Strelchuk, M.L. Hussein, M.E. Ware and Gregory J. Salamo // Nanotechnology, 2008. V.19. No 50. 505605 (7pp.). doi: 10.1088/0957-4484/19/50/505605 (Cited 1 times)Download: [pdf] - Механизм термостабильности Si большого диаметра, полученного методом Чохральского.
Литовченко В.Г., Лісовський І.П., Кладько В.П., Ефремов А.А., Злобін С.О., Слободян Н.В. // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2008, №3, С.37-42.Download: [pdf] - Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures.
Belyaev A.E., Boltovets N.S., Ivanov V.N., Kladko V.P., Konakova R.V., Kudryk Ya.Ya., Milenin V.V., Sheremet V.N. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2008. V. 11, No 3. P.209-216.Download: [pdf] - Вплив опромінення високоенергетичними електронами на дефектну структуру монокристалів Cz-Si згідно високороздільної трикристальної Х-променевої дифрактометрії.
І.М. Фодчук, В.В. Довганюк, В.П. Кладько, М.В. Слободян, Т.В. Литвинчук, Свянтек З. // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. 2008, Вип.420, С.40-44.Download: [pdf] - О механизме токопереноса обусловленном дислокациями в нитрид-галлиевых диодах Шоттки.
Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Кучук А.В., Миленин В.В., Свешников Ю.Н. // Физика и Техника Полупроводников. 2008, Т.42, вып.6, P.706-710.Download: [pdf]
