укр
eng
Кладько Василь - доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки
Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА
Дата і місце народження: 12 січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець
Освіта:
1974 – 1979 – студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з червоним дипломом)
1982 – 1985 – аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР
Наукові ступені та звання:
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.).
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу "Дифракційних досліджень структури напівпровідників" Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна
Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.
- Подяка Президії НАН України (2010 р.)
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics"
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси"
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 300
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 100
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 162 (h-index = 7)
- Кількість конференцій: 111
- Кількість монографій: 5 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
- Патенти: 1
Педагогічна діяльність:
Підготував 6 кандидатів фіз.-мат. наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В., Сафрюк Н.В., Гудименко О.Й. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла).
Керівник дисертаційної роботи: аспірантки Поліщук Ю.С.
Список публікацій:
- Физические методы диагностики в микро- и наноэлектронике.
Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Венгер Е.Ф., Волков А.В., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Миленин В.В., Миленин Г.В., Пилипчук В.А., Редько Р.А., Саченко А.В. // Монографія. – 2011. – Харків: „ИСМА” – 384 C. - Многообразность динамической картины рассеяния излучений монокристаллами с несколькими типами микродефектов (Diversity of the dynamical pattern of radiations scattering by single crystals with several types of defects)
В.Б. Молодкин, А.П. Шпак, М.В. Ковальчук, В.Ф. Мачулин, И.М. Карнаухов, В.Л. Носик, А.Ю. Гаевский, В.П. Кладько, С.И. Олиховский, Е.Г. Лень, Б.В. Шелудченко, С.В. Лизунова, В.В. Молодкин, С.В. Дмитриев, В.В. Лизунов. // Металлофизика и нов. технологии (Metallofizika i Noveishie Tekhnologii), 2011, Т.33, №8, С.1083-1110.Download: [pdf] - Физические основы многопараметрической кристаллографии: диагностика дефектов нескольких типов в монокристаллических материалах и изделиях нанотехнологий
В.Б. Молодкин, М.В. Ковальчук, В.Ф. Мачулин, Э.Х. Мухамеджанов, С.В. Лизунова, С.И. Олиховский, Е.Г. Лень, Б.В. Шелудченко, С.В. Дмитриев, Е.С. Скакунова, В.В. Молодкин, В.В. Лизунов, В.П. Кладько, Е.В. Первак // Успехи физики металлов, 2011, Т.12, С.295-366. - X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
Kladko V.P., Kuchuk A.V., Safryuk N.V., Machulin V.F., Belyaev A.E., Konakova R.V., Yavich B.S. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2010. V.13, No1. P.1-7. (cited 3 times)Download: [pdf] - Рентгеновская дифрактометрия и сканирующая микро-рамановская спектроскопия неоднородностей структуры и деформаций по глубине многослойной гетероструктуры InGaN/GaN
Стрельчук В.В., Кладько В.П., Авраменко К.А., Коломыс А.Ф., Сафрюк Н.В., Конакова Р.В., Явич Б.С., Валах М.Я., Мачулин В.Ф., , Беляев А.Е. // Физика и техника полупроводников, 2010. T.44. вып.9. C.1236-1247. (cited 4 times)Download: [pdf] - Study of the mechanisms of oxygen precipitation in RTA annealed Cz-Si wafers
V. Litovchenko, I. Lisovskyy, M. Voitovych, A. Sarikov, S. Zlobin, V. Kladko, V. Machulin // Solid State Phenomena. 2010. V.156-158, P.279-282. (cited 1 times)Download: [pdf] - Reliability Tests of Au-metallized Ni-based Ohmic Contacts to 4H-n-SiC with and without Nanocomposite Diffusion Barriers.
Kuchuk A.V., Guziewicz M., Ratajczak R., Wzorek M., Kladko V.P., Piotrowska A. // Materials Science Forum, 2010. V.645-648 (Silicon Carbide and Related Materials 2009). P.737-740. (cited 2 times)Download: [pdf] - The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd2Si-p+-Si ohmic contacts
A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, L.M. Kapitanchuk, R.V. Konakova, V.P. Kladko, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, T.V. Korostinskaya, A.B. Ataubaeva, P.V. Nevolin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2010. V.13, No1. P.8-11.Download: [pdf] - Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением γ-квантами 60Со
А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, А.В. Бобыль, В.Н. Иванов, Л.М. Капитанчук, В.П. Кладько, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, А.А. Корчевой, О.С. Литвин, В.В. Миленин, С.В. Новицкий, В.Н. Шеремет // Физика и Техника Полупроводников, 2010, Т.44, No12. P.1607-1614.Download: [pdf] - Structural changes in Cz-Si single-crystal irradiated by high-energy electron from high-resolution X-ray diffractometry
І.М. Fodchuk, V.V. Dovganyuk, Т.V. Litvinchuk, V.P. Kladko, М.V. Slobodian, O.Yo. Gudymenko, Z. Swiatek // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010. V. 13, N 2. P. 209-213.Download: [pdf]
