укр
eng
Кладько Василь - доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки
Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА
Дата і місце народження: 12 січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець
Освіта:
1974 – 1979 – студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет
1982 – 1985 – аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР
Наукові ступені та звання:
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.).
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу "Дифракційних досліджень структури напівпровідників" Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна
Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: фізика твердого тіла, резонансне розсіяння випромінювань, фізика і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників, розсіювання вторинних випромінювань
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, надгратки і квантові ями (точки), фізика і реальна структура кристалічних матеріалів, рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics"
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси"
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 260
- Кількість статей в реферованих міжнародних журналах: 80 (h-index = 4)
- Кількість конференцій: 107
- Кількість монографій: 4 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
Педагогічна діяльність:
Підготував 4 кандидатів фіз.-мат. наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла).
Керівник 2 дисертаційних робіт: аспірантка Сафрюк Н.В., м.н.с. Гудименко О.Й.
Список публікацій:
- Microdefects and nonstoichiometry level in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy method
V.P. Klad’ko, L.I. Datsenko, Z. Zytkiewicz, J. Bak-Misiuk, Z.V. Maksimenko // Journal of Alloys and Compounds 328 (2001) 218–221. (cited 3 times)Download: [pdf] - Effect of Structure Perfection of Polar Crystals on Friedel Intensity Ratio for X-Ray Reflections in the Region of Resonant Frequencies
Klad’ko V.P., Datsenko L.I., Manninen S., Galambosi Sz., Molodkin V.B., Machulin V.F. // Металлофизика и новейшие технологии. 2001, V.23, №12. С.1595-1605.Download: [pdf] - Complex diffractometrical investigstion of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon
L.I. Datsenko, V.P. Kladko, P.M. Lytvyn, J. Domogala, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko, V.B. Molodkin, Z.V. Maksimenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2001. V. 4, N. 3, P. 146-151Download: [pdf] - Структурні властивості імплантованих шарів арсеніду галію в полях пружних деформацій.
Кладько В.П., Даценко Л.І., Максименко З.В., Кладько І.В. // Український Фізичний Журнал, 2001. Т.46, №7. С.749-751.Download: [pdf] - Изучение структуры тонких пленок арсенида галлия с помощью трехкристальной рентгеновской дифрактометрии.
Кладько В.П., Домагала Я., Даценко Л.И., Молодкин В.Б., Олиховский С.И., Маннинен С., Максименко З.В. // Металлофизика и новейшие технологии, 2001, Т.23, №2, C.241-254.Download: [pdf] - Дефектна структура бездислокаційного кремнію після імплантації водню та відпалу в умовах гідростатичного стискування.
Даценко Л.І., Кладько В.П., Мельник В.М., Мачулін В.Ф. // Український Фізичний Журнал, 2001. Т.46, №3. С.328-332.Download: [pdf] - Дослідження параметрів структурної досконалості надтонких епітаксійних шарів SiGex методом високороздільної рентгенівської дифрактометрії
Політанський Р.Л., Кладько В.П., Клюй М.І. // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. Електроніка. 2001, Вип.112, С.48-50.Download: [pdf] - Излучение, связанное с протяженными дефектами в эпитаксиальных слоях ZnTe/GaAs и многослойных структурах
Е.Ф. Венгер, Ю.Г. Садофьев, Г.Н. Семенова, Н.Е. Корсунская, В.П. Кладько, М.П. Семцив, Л.В. Борковская // Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 1Download: [pdf] - Emission Associated with Extended Defects in Epitaxial ZnTe/GaAs Layers and Multilayer Structures
E.F. Venger, Yu.G. Sadof'ev, G.N. Semenova, N.E. Korsunskaya, V.P. Klad’ko, M.P. Semtsiv, and L.V. Borkovskaya // Semiconductors, Vol. 34, No. 1, 2000, pp. 11–16.Download: [pdf] - Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
V.P. Kladko, L.I. Datsenko, Z.V. Maksimenko, O.S. Lytvyn, I.V. Prokopenko, Z. Zytkiewicz // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2000. V. 3, N. 3, P. 343-348Download: [pdf]
