укр
eng
Кладько Василь - доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки
Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА
Дата і місце народження: 12 січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець
Освіта:
1974 – 1979 – студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з червоним дипломом)
1982 – 1985 – аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР
Наукові ступені та звання:
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.).
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу "Дифракційних досліджень структури напівпровідників" Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна
Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.
- Подяка Президії НАН України (2010 р.)
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics"
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси"
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 300
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 100
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 162 (h-index = 7)
- Кількість конференцій: 111
- Кількість монографій: 5 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
- Патенти: 1
Педагогічна діяльність:
Підготував 6 кандидатів фіз.-мат. наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В., Сафрюк Н.В., Гудименко О.Й. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла).
Керівник дисертаційної роботи: аспірантки Поліщук Ю.С.
Список публікацій:
- Осциллирующая релаксация эффекта дальнодействия в GaAs.
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Семенова Г.Н. // Письма в ЖТФ, 1992, Т.18, №24, C.1-5.Download: [pdf] - Laser-assisted evaporation of high-quality narrow-gap thin films.
Plyatsko S.V., Gromovoj Yu.S., Kostyunin G.V., Sizov F.F., Kladko V.P. // Thin Sol. Films, 1992, V.221, Issues 1-2, P.127-131. (cited 4 times)Download: [pdf] - Рентгенодифрактометрический контроль структурного совершенства монокристаллических пластин.
Крыштаб Т.Г., Кладько В.П., Фомин А.В. // Заводская лаборатория. 1991, Т.57, №6. С.36-38Download: [pdf] - Влияние метода утонения подложек на распределение деформационных полей в эпитаксиальных GaAs структурах.
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Семенова Г.Н., Хазан Л.С., Башевская О.С. // Физика Твердого Тела, 1991, Т.33, №11. С.3192-3198. (cited 5 times)Download: [pdf] - Влияние механической обработки на изгиб монокристаллических пластин из сплава GaAs.
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Фомин А.В., Друзь Б.Л., Петров П.Н. // Оптико-механическая промышленность, 1990, №10, С.49-51.Download: [pdf] - Влияние динамических и статических дефектов на интегральную рассеивающую способность кристаллов для квазизапрещенных отражений в геометрии Брэгга.
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Хромяк К.Я., Фомин А.В. // Український Фізичний Журнал, 1990, Т.35, №4. С.594-598.Download: [pdf] - Особенности рассеяния рентгеновских лучей для сверхструктурных отражений вблизи К-краев поглощения компонентов бинарных соединений на примере кристалла InSb.
Кладько В.П.,, Крыштаб Т.Г., Даценко Л.И. // Кристаллография, 1989, Т.34, №.5. С.1083-1087.Download: [pdf] - Влияние упругой деформации на брэгговскую дифракцию рентгеновских лучей для квазизапрещенных отражений в монокристаллах GaAs.
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г. // Український Фізичний Журнал, 1989, Т.34, №10. С.1574-1575.Download: [pdf] - Комплексное исследование деформированного слоя монокристаллического теллурида кадмия.
Бабенцов В.Н., Горбань С.И., Кладько В.П., Фомин А.В. // Оптико-механическая промышленность, 1989, №7, С.34-35.Download: [pdf] - Контроль толщины нарушенного слоя в структурно-неоднородных монокристаллах
Хрупа В.И., Кладько В.П., Кисловский Е.Н., Фомин А.В. // Заводская лаборатория, 1989, Т.55, №4. С.61-64.
