укр
eng
Кладько Василь - доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки
Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА
Дата і місце народження: 12 січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець
Освіта:
1974 – 1979 – студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з червоним дипломом)
1982 – 1985 – аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР
Наукові ступені та звання:
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.).
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу "Дифракційних досліджень структури напівпровідників" Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна
Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.
- Подяка Президії НАН України (2010 р.)
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics"
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси"
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 300
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 100
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 162 (h-index = 7)
- Кількість конференцій: 111
- Кількість монографій: 5 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
- Патенти: 1
Педагогічна діяльність:
Підготував 6 кандидатів фіз.-мат. наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В., Сафрюк Н.В., Гудименко О.Й. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла).
Керівник дисертаційної роботи: аспірантки Поліщук Ю.С.
Список публікацій:
- Influence of carbon layer on the properties of Ni-based ohmic contact to n-type 4H-SiC
Z. Adamus, P. Borowicz, M. Wzorek, M. Borysiewicz, K. Korwin-Mikke, M. Latek, A. Barcz, K. Golaszewska, E. Kaminska, A. Piotrowska, A. Kuchuk, V. Kladko // Journal of Applied Physics, 2012, - Ni-based Ohmic Contacts to n-type 4H-SiC
A. Piotrowska, E. Kaminska, M. Borysiewicz, K. Golaszewska, M. Wzorek, A. Kuchuk, V. Kladko, R. Ratajczak // APL, 2012. - Substrate effects on the strain relaxation in GaN/AlN short-period superlattices
V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, O.M. Yefanov, P.M. Lytvyn, N.V. Safryuk, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, E.A. DeCuir Jr, M.E. Ware, and G.J. Salamo // Journal of Applied Physics 2012, 111, (submitted) - The Formation Mechanism of Ni-based Ohmic Contacts to 4H-n-SiC
Andrian V. Kuchuk, Vasyl P. Kladko, Krystyna Golaszewska, Marek Guziewicz, Marek Wzorek, Eliana Kaminska, and Anna Piotrowska // Material Science Forum, 2012. V.713, P.001-004.Download: [pdf] - Influence of template type and buffer strain on structural properties of GaN multilayer quantum wells grown by PAMBE. X-Ray study.
V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, P.M. Lytvyn, V.G. Raicheva, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, E.A. DeCuir Jr, M.E. Ware, and G.J. Salamo // Journal of Physics D: Applied Physics, 2011. V.44. No2, P.025403(8), (cited 3 times)Download: [pdf] - Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении количества квантовых ям в InGaN/GaN многослойных структурах
Кладько В.П., Кучук А.В., Сафрюк Н.В., Мачулин В.Ф., Беляев А.Е., Конакова Р.В., Явич Б.С., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю. // Физика и техника полупроводников, 2011. Т.45, вып.6, C.770-777.Download: [pdf] - Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців в багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах
В.O. Юхимчук, M.Я. Валах, В.П. Kладько, M.В. Слободян, O.Й. Гудименко, З.Ф. Красільнік, О.В. Новіков // Український Фізичний Журнал, 2011, T.56, №3, C.254-262.Download: [pdf] - Влияние режима перегрева p-n перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов
Беляев А.Е., Басанец В.В., Болтовец Н.С., Зоренко А.В., Капитанчук Л.М., Кладько В.П., Конакова Р.В., Колесник Н.В., Крицкая Т.В., Кудрик Я.Я., Кучук А.В., Миленин В.В., Атаубаева А.Б. // Физика и Техника Полупроводников, 2011. Т.45, вып.2, С.256-252. (cited 1 times)Download: [pdf] - Mechanisms of oxygen precipitation in Cz-Si wafers subjected to rapid thermal anneals
A Sarikov, I Lisovskyy, V Litovchenko, M Voitovich, S Zlobin, V Kladko, M Slobodian, and V Machulin // Journal of the Electrochemical Society 2011, Vol.158 Issue 8. P.H772-H777. (cited 1 times)Download: [pdf] - Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands
Gudymenko O.Yo., Kladko V.P., Yefanov O.M., Slobodian M.V., Yu.S. Polischuk, Krasilnik Z.F., Lobanov D.N., Novikov А.V. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2011. V.14, No 4, P.389-392.Download: [pdf]
