укр
eng
Кладько Василь - доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки
Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА
Дата і місце народження: 12 січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець
Освіта:
1974 – 1979 – студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет
1982 – 1985 – аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР
Наукові ступені та звання:
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.).
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу "Дифракційних досліджень структури напівпровідників" Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна
Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: фізика твердого тіла, резонансне розсіяння випромінювань, фізика і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників, розсіювання вторинних випромінювань
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, надгратки і квантові ями (точки), фізика і реальна структура кристалічних матеріалів, рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics"
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси"
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 260
- Кількість статей в реферованих міжнародних журналах: 80 (h-index = 4)
- Кількість конференцій: 107
- Кількість монографій: 4 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
Педагогічна діяльність:
Підготував 4 кандидатів фіз.-мат. наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла).
Керівник 2 дисертаційних робіт: аспірантка Сафрюк Н.В., м.н.с. Гудименко О.Й.
Список публікацій:
- Investigation of superlattice structure parameters using quasi-forbidden reflections
V.P. Kladko, L.I. Datsenko, A.A. Korchovyi, V.F. Machulin, P.M. Lytvyn, A.V. Shalimov, A.V. Kuchuk, P.P. Kogutyuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2003. V. 6, N 3. P. 392-396Download: [pdf] - Поведение сателлитных дифракционных максимумов короткопериодных сверхрешеток GaAs-AlAs с различной степенью кристаллического совершенства слоев.
Кладько В.П., Даценко Л.И., Мачулин В.Ф., Молодкин В.Б. // Металлофизика и новейшие технологии. 2003, Т.25, №5. С.597-615.Download: [pdf] - Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals
M.E.Seitmuratov, V.P. Kladko, O.I. Gudymenko, L.I. Datsenko, I.V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2002. V. 5, N 3. P. 258-260Download: [pdf] - Recrystallization processes in screen-printed CdS films
V.P. Klad'ko, O.S. Lytvyn, P.M. Lytvyn, N.M. Osipenok, G.S. Pekar, I.V. Prokopenko, A.F. Singaevsky, A.A. Korchevoy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2002. V. 5, N 2. P. 170-175.Download: [pdf] - Defects and radiation-enhanced defect reactions in ZnSe/(001)GaAs MBE layers
G.N. Semenova, E.F. Venger, N.O. Korsunska, V.P. Klad'ko, L.V. Borkovska, M.P. Semtsiv, M.B. Sharibaev, V.I. Kushnirenko, Yu.G. Sadofyev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2002. V. 5, N 2. P. 133-137.Download: [pdf] - Concerning the subject of X-ray scattering by large dislocation loops
V.P. Klad’ko, M.Ya. Skorokhod, L.I. Datsenko, O.I. Gudymenko // Український Фізичний Журнал, 2002, Т.47, №7. C.675-679.Download: [pdf] - АСМ исследования нано-островков на поверхности полупроводниковых структур.
Литвин П.М., Прокопенко И.В., Кладько В.П., Федоренко Л.Д. // Сбор. докладов 5 семинара по сканирующей зондовой микроскопии. Минск, 2002, C.28-32.Download: [pdf] - Рентгенодифракционная диагностика структурной и композиционной однородности бинарных кристаллов.
Даценко Л.И., Кладько В.П., Маннинен С., Молодкин В.Б. // Металлофизика и новейшие технологии. 2002, Т.24, №5. С.597-615.Download: [pdf] - (Dynamical Scattering of X-Rays by Real Crystals in Region of Anomalous Dispersion) Динамическое рассеяние рентгеновских лучей реальными кристаллами в области аномальной дисперсии
Л.И. Даценко, В.П. Кладько, В.Ф. Мачулин, В.Б. Молодкин. (Datsenko L.I., Kladko V.P., Machulin V.F., Molodkin V.B. (in Russian)) // (монографія) Київ, 2002 р. “Академперіодика” – 352 с. (cited 5 times) - Calculation of two-dimensional maps of diffuse scattering by a real crystal with microdefects and comparison of results obtained from three-crystal diffractometry
V.P. Klad‘ko, L.I. Datsenko, J. Bak-Misiuk, S.I. Olikhovskii, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko, V.B. Molodkin, Z.V. Maksimenko // J. Phys. D: Appl. Phys. 34 (2001) A87–A92. (cited 4 times)Download: [pdf]
